AR-N 4200

Negativ-Photoresist für das mittlere und Tief-UV AR-N 4240.

Der Negativ-Photoresist AR-N 4240 ist ein chemisch nicht verstärkter Standardresist großer Prozessbreite zur Herstellung integrierter Schaltkreise. Der AR-N 4240 ist für den Wellenlängenbereich von 300 – 365 nm besonders geeignet. Darüber hinaus zeigt er im Tief-UV-Bereich (248-265 nm) eine hohe Empfindlichkeit sowie eine ausgezeichnete Plasmaätzbeständigkeit.
Der Resist zeichnet sich durch hohe Lichtempfindlichkeit, hohes Auflösungsvermögen sowie gute Haftung auf Metall- und Oxidflächen aus. Die Entwicklung erfolgt wässrig-alkalisch. Durch eine geringfügige Variation des Entwicklerregimes kann der Negativresist auch für die Erzeugung von unterschnittenen Strukturen (lift-off) verwendet werden.
Der Resist besteht aus einer Novolak – Bisazid – Kombination in einem safer-solvent-Lösemittelgemisch mit dem Hauptbestandteil 1-Methoxy-2-propyl-acetat.

Ausführliche Produktinformationen zum Download
» AR-N 4200

|

« Zurück zur Übersicht