AR-P 610

Die E-Beam Resists der Serie AR-P 617 sind positiv arbeitende, auf 0,2 μm filtrierte Elektronenstrahlresists, die für sämtliche Elektronenstrahlanwendungen geeignet sind. Ihre Eigenschaften entsprechen den hohen Anforderungen im lithografischen Maskierungsprozess bei der Herstellung von integrierten Schaltkreisen.

Die Copolymer-Schichten zeichnen sich durch eine sehr gute Haftung auf Silizium, Glas und den meisten Metallen aus. Im Vergleich zu den PMMA-Polymeren besitzen sie eine 3-4 fach höhere Empfindlichkeit sowie einen höheren Kontrast. Die entwickelten Strukturen sind bis 140 °C thermisch stabil.

Die Resists können zur Planarisierung und für den Mehrlagenprozess eingesetzt werden. Speziell für die Nanometerlithografie sind Resists mit geringen Feststoffgehalten für Schichtdicken < 30 nm geeignet.

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