AR-P 6200 (CSAR 62)

Der Elektronenstrahlresist AR-P 6200 ist ein Positiv-E-Beam Resist mit einer entwicklerabhängig hohen bis sehr hohen Empfindlichkeit. Mit ihm sind Auflösungen bis in den sub-10-nm Bereich realisierbar. Weiterhin zeichnet er sich durch eine hohe Prozess- und Plasmaätzstabilität aus. Darüber hinaus ist der Resist für Lift-off-Prozesse bis zu einer Strukturgröße von 10 nm sehr gut geeignet.

Durch den sehr hohen Kontrast von > 15 kann bei einer Schichtdicke von 180 nm eine Auflösung von 10 nm erreicht werden. Damit ist ein Aspektverhältnis von 18 realisierbar.

Mit der Auswahl des Entwicklers kann die Empfindlichkeit des Resists auf 10 µC/cm² gesteigert (AR 600-548) werden. Ein höheres Auflösungsvermögen wird mit dem Entwickler AR 600-546 erzielt.

Die Hauptkomponenten des Resists sind Poly(α-methylstyren-co-chlormethacrylsäure-methylester), ein Säuregenerator und das safer-solvent-Lösemittel Anisol.

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