FAQ E-BeamResist

1. Wie ist ein E-Beam Resist aufgebaut und wie funktioniert er?

E-Beam Resists (Elektronenstrahlresists) sind für Elektronenstrahl- und Tief-UV-Anwendungen zur Herstellung von höchstintegrierte Strukturen, hauptsächlich für die Maskenfertigung konzipiert.
mehr lesen »

2.  Wie lange sind E-Beamresists haltbar und welches sind die optimalen Lagerbedingungen?

PMMA- und Copolymer-E-Beamresists sind im sichtbaren UV nicht lichtempfindlich, sie reagieren also nicht auf Licht (Gelblicht nicht erforderlich) und weniger gravierend als novolakbasierte Resists auf Temperatureinwirkung.
mehr lesen »

3.  Wie ist die optimale Subtratvorbehandlung für E-Beam Resists?

Bei Verwendung neuer und sauberer Substrate (Wafer) ist ein Ausheizen bei etwa 200 °C für einige Min zur Vorbereitung ausreichend. Jedoch sind die Substrate im Anschluss daran schnell zu verarbeiten.
mehr lesen »

4.  Wie ist die Haftung von E-Beam Resists auf unterschiedlichen Wafern?

Wie bei den Photoresists ist die Haftung zwischen Substrat und Lack auch bei den E-Beamresists eine sensible Eigenschaft. Die PMMA- und PMMA-Copolymerresists sind jedoch deutlich unempfindlicher gegenüber Haftungsproblemen im Vergleich mit den 7000er Elektronenstrahllacken.
mehr lesen »

5.  Wie erfolgt die Belichtung von E-Beam Resists? Wie erreicht man die optimale Belichtungsdosis?

Durch die Verwendung sehr kurzwelliger Elektronen für die Bestrahlung der Resists kann eine ausgezeichnete Auflösung von bis zu 2 nm erreicht werden (Punktstrahl). Die Belichtung erfolgt durch herkömmliche Geräte der Elektronenstrahl-
mehr lesen »

6.  Welche Entwickler sind für welche E-Beam Resists optimal und welchen Einfluss haben Entwicklerkonzentration und Temperatur?

Bei der Entwicklung erfolgt die Strukturierung der Lackschicht durch Herauslösen der belichteten Teile bei Positivresists und der unbelichteten Bereiche bei Negativresists. Für reproduzierbare Ergebnisse sollte bei einer Temperatur zwischen 21 und 23 °C bei einer Temperaturkonstanz von ± 2 °C bei Lösemittel-
mehr lesen »

7.  Wie sind E-Beamresistschichten wieder entfernbar?

Zur Entfernung gering getemperter Lackschichten (Softbake-Temperatur) aller E-Beamresists eignen sich polare Lösemittel, wie z.B. der jeweilige Lackverdünner AR 300-12 bzw. AR 600-
mehr lesen »

8.  Welche Auflösung haben E-Beam Resists?

Bei der Auflösung muss zwischen akademisch erreichten und industriell nutzbaren Werten unterschieden werden. Theoretisch sind Auflösungen von 2 nm möglich (Punktstrahl der Elektronen)
mehr lesen »

9.  Wie hoch ist die Plamaätzresistenz von E-Beam Resists?

Die Elektronenstrahllacke der AR-Serien 6000 und 7000 weisen unterschiedliche Ätzresistenzen bei den Trockenätzprozessen, wie z.B. Argon-Sputtern und CF4 auf. Die novolakbasierten E-
mehr lesen »

10.   Wie hoch ist die Ätzresistenz der E-Beam Resists gegenüber starken Säuren?

Konzentrierte oxidierende Säuren (Schwefelsäure, Salpetersäure, Königswasser 1) , Piranha 2) ) greifen schon bei Raumtemperatur die E-Beamresistschichten an und sind als Remover für hartnäckige Resiststrukturen bekannt.
mehr lesen »