E-Beam Resists (Elektronenstrahlresists) sind für Elektronenstrahl- und Tief-UV-Anwendungen zur Herstellung von höchstintegrierte Strukturen, hauptsächlich für die Maskenfertigung konzipiert.
mehr lesen »
PMMA- und Copolymer-E-Beamresists sind im sichtbaren UV nicht lichtempfindlich, sie reagieren also nicht auf Licht (Gelblicht nicht erforderlich) und weniger gravierend als novolakbasierte Resists auf Temperatureinwirkung.
mehr lesen »
Bei Verwendung neuer und sauberer Substrate (Wafer) ist ein Ausheizen bei etwa 200 °C für einige Min zur Vorbereitung ausreichend. Jedoch sind die Substrate im Anschluss daran schnell zu verarbeiten.
mehr lesen »
Wie bei den Photoresists ist die Haftung zwischen Substrat und Lack auch bei den E-Beamresists eine sensible Eigenschaft. Die PMMA- und PMMA-Copolymerresists sind jedoch deutlich unempfindlicher gegenüber Haftungsproblemen im Vergleich mit den 7000er Elektronenstrahllacken.
mehr lesen »
Durch die Verwendung sehr kurzwelliger Elektronen für die Bestrahlung der Resists kann eine ausgezeichnete Auflösung von bis zu 2 nm erreicht werden (Punktstrahl). Die Belichtung erfolgt durch herkömmliche Geräte der Elektronenstrahl-
mehr lesen »
Bei der Entwicklung erfolgt die Strukturierung der Lackschicht durch Herauslösen der belichteten Teile bei Positivresists und der unbelichteten Bereiche bei Negativresists. Für reproduzierbare Ergebnisse sollte bei einer Temperatur zwischen 21 und 23 °C bei einer Temperaturkonstanz von ± 2 °C bei Lösemittel-
mehr lesen »
Zur Entfernung gering getemperter Lackschichten (Softbake-Temperatur) aller E-Beamresists eignen sich polare Lösemittel, wie z.B. der jeweilige Lackverdünner AR 300-12 bzw. AR 600-
mehr lesen »
Bei der Auflösung muss zwischen akademisch erreichten und industriell nutzbaren Werten unterschieden werden. Theoretisch sind Auflösungen von 2 nm möglich (Punktstrahl der Elektronen)
mehr lesen »
Die Elektronenstrahllacke der AR-Serien 6000 und 7000 weisen unterschiedliche Ätzresistenzen bei den Trockenätzprozessen, wie z.B. Argon-Sputtern und CF4 auf. Die novolakbasierten E-
mehr lesen »
Konzentrierte oxidierende Säuren (Schwefelsäure, Salpetersäure, Königswasser 1) , Piranha 2) ) greifen schon bei Raumtemperatur die E-Beamresistschichten an und sind als Remover für hartnäckige Resiststrukturen bekannt.
mehr lesen »
