Neues Archiv vor 2005

11.10.2004

Wiederentfernbarer Negativresist für dicke Schichten – CAR 44

In der LIGA- und Mikrosystemtechnik wird weltweit der Negativresist SU-8 eingesetzt. Neben seinen anerkannt exzellenten Eigenschaften besitzt er jedoch auch einige Nachteile. Der Größte ist die äußerst schwierige Entfernbarkeit der vernetzten Strukturen nach dem Prozess.
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31.10.2003

Hochempfindlicher Negativresist für i-line-Lithographie – AR-N 4300

Negativresists werden im Vergleich zu Positivresists in der Mikroelektronik deutlich seltener eingesetzt. Um jedoch auch für diese Applikationen einen erstklassigen Resist anbieten zu können,
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09.05.2003

Sensor Messe in Nürnberg

Nunmehr zum 4. Mal nimmt Allresist an der Sensor-Messe in Nürnberg als Aussteller teil. Mitaussteller war das IDM e.V., Teltow. Wie in den letzten Jahren wurde eine Vielzahl von Kontakten geknüpft.
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28.03.2003

Allresist auf der Semicon China

Im Rahmen des BadSaarowBridgeClubs nahmen einige Unternehmen des Club an der Semicon China 2003 teil. Herr Dr. Reichardt von der DAS GmbH, Dresden, stellte seine Erfahrungen und sein Büro in Shanghai zur Verfügung.
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25.03.2002

Technologietransferpreis an Allresist und IDM e.V. verliehen

Der 1. Preis wurde an das Entwicklungsteam zum Vorhaben „Thermostabile Resists für die Mikrosystemtechnik“ mit den Teilnehmern Priv.–Doz. Dr. habil. Burkhard Schulz von der Universität Potsdam und Dipl.
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03.03.2002

Aluminiumstrukturen direkt entwickelt

Strukturen aus Aluminium werden üblicherweise durch die Herstellung einer Lackmaske und anschließendem nasschemischen Ätzen erzeugt. Mit dem Experimentalmuster X AR-P 5900/4 kann die elegante Methode der Direktentwicklung angewendet werden.
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06.01.2002

Erfolgreiche Zertifizierung nach DIN ISO 9001:2000

Nach einer intensiven Vorbereitungszeit haben wir die erste Phase der Einführung des Qualitätsmanagementsystems am 19.12.2001 abgeschlossen. Herr Dr. Leonhardt vom TÜV Süd konnte uns bescheinigen,
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06.08.2001

Alkaliresistente Resists

Das Interesse an alkaliresistenten Schutzschichten ist bei vielen Anwendern groß. In unterschiedlich basische Medien sollen die schon erzeugten Strukturen geschützt werden. Dazu bedarf es Resists,
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09.05.2001

Resists für den Wellenlängenbereichvon 488 nm

Mit dem X AR-P 350/5 kann bei der Wellenlänge von 488 nm gearbeitet werden. Die Empfindlichkeit des Resists beträgt dabei ca. 2 J/cm². Für die gewünschten Anwendungen (holographische Gitter bzw.
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30.03.2000

Allresist in Strausberg

Innerhalb des letzten Jahres gab es große Veränderungen für die Allresist GmbH. Das neue, eigene Firmengebäude wurde im Dezember 1999 eingeweiht. Neben der Kapazitätserweiterung,
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