Resist des Monats

Resist des Monats Juli: Medusa 82 – die Alternative zum HSQ-Resist

Unserem Forschungsteam ist es in diesem Jahr gelungen, einen Negativresist hoher Auflösung und Plasmaätzstabilität in Sauerstoff zu entwickeln. Bereits mit den ersten Mustern gelang es die Eigenschaften des HSQ zu erreichen.
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Resist des Monats April: Fluoreszierende Negativ-Photoresists Atlas 46 S

Für die Herstellung optischer Skalierungen, wie z.B. bei Nachtsichtgeräten, bedient man sich der faszinierenden Möglichkeiten der Fluoreszenz. Dafür haben wir unseren Atlas 46 mit verschiedenen Fluoreszenzfarbstoffen zu versetzt.
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Resist des Monats Januar: SU 8-Alternative – Negativ-Photoresist Atlas 46

Die hervorragenden Eigenschaften des SU-8 sind allen Anwendern der Mikrosystemtechnik bekannt. Der neue Negativresist Atlas 46 S (Solid) von Allresist ist einfach verarbeitbar mit hoher Reproduzierbarkeit der Eigenschaften und großer Widerstandsfähigkeit der Resiststrukturen gegenüber allen gängigen Lösemitteln. Damit ist Atlas 46 S für alle Anwendungen geeignet, bei denen die Schicht permanent und widerstandsfähig auf dem Substrat verbleiben soll.
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Resist des Monats Oktober: Fluoreszierende Resiststrukturen mit SX AR-P 672.08

Fluoreszierende Strukturen werden für optische Komponenten und in der Mikroskopie benötigt. In enger Zusammenarbeit mit der Präzisionsoptik Gera GmbH ist es uns nun gelungen, PMMA E-Beamresists auf Anisolbasis mit fluoreszierenden Farbstoffen zu versetzen und diese mittels Elektronenstrahl-Lithographie zu strukturieren.
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Resist des Monats April 2017: Thermisch entwickelbarer Positivresist Phoenix 81

Die Polyphthalaldehyde eignen sich ebenso für die Elektronenstrahllithographie und wie auch für die Herstellung von 200 nm dicken Fäden (Electro spinning). Ein Material aus diesen Fäden verdampft augenblicklich, wenn man es erhitzt.
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Resist des Monats Januar 2017: Optimierung des Negativ-Sprühresist AR-N 2200

Der Sprühresist AR-N 2220 ist der weltweit einzige einsatzfertige Negativlack. Damit entfällt das aufwändiges und ungenaues Mischen eines mit Lösemitteln.
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Optimierte T-Gate-Strukturen mit Dreilagensystemen aus PMMA, Copolymer 617 und CSAR 62

T-Gates werden für die Herstellung hochwertiger Transistoren benötigt. Allresist hat mehrere Dreilagensysteme für diesen Prozess optimiert. Dabei wurde sowohl ein universaler Entwickler für einen Entwicklungsschritt als auch mehrere selektive Entwickler für jede Schicht konzipiert.
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Resist des Monats Juli 2016: Negativ-PMMA-Resist (Photolithographie)

Empfindliche Substrate vertragen keine wässrig-alkalische Entwickler. Für solche Fälle wurde vor einigen Jahren der X AR-N 4800/16 entwickelt. Dieser Resist erfüllte die an ihn gestellten Anforderungen, jedoch gelang mit ihm nur ein Schichtaufbau auf 70 % bei mäßiger Empfindlichkeit.
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Resist des Monats Januar 2016: Electra 92 Produktionseinführung

Electra 92 hat die Feuertaufe bei den Anwendern gut bestanden. Immer mehr zufriedene Kunden geben ihr Feedback zu den exzellenten Eigenschaften des AR-PC 5090.02
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Resist des Monats Oktober 2015: E-Beamlithographie auf Glas – CSAR 62 und Electra 92

Auf der MNE 2015 in Den Haag stellte Allresist dieses präzise und einfach zu handhabende Zweilagen-System mit großem Erfolg vor.
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