AR-N 7500, 7520

Die Negativ-Elektronenstrahlresists AR-N 7500 und 7520 verfügen über eine gute Empfindlichkeit und exzellente Auflösung. Sie zeichnen sich durch eine hohe Prozessstabilität aus, die daraus resultiert, dass die Vernetzung nicht auf dem Prinzip der chemischen Verstärkung beruht.

Mix-&-match-Prozesse zwischen E-Beam- und UV-Belichtungen (310 – 450 nm) sind möglich. Die Resists AR-N 7500 arbeiten im UV-Bereich zwischen 310-450 nm wellenlängenabhängig positiv oder negativ. Dagegen arbeitet der AR-P 7520 im Bereich von 248-270 nm und 310-365 nm ausschließlich negativ.

Es lassen sich Strukturauflösungen bis zu 40 nm bei Schichtdicken zwischen 80 und 400 nm erzeugen. Die Resists verfügen über einen hohen Kontrast (> 5), die Entwicklung erfolgt wässrig-alkalisch. Ihre Empfindlichkeit liegt zwischen der chemisch verstärkter Resists (z.B. AR-N 7700) und der PMMA-Resists.

Die Plasmastabilität ist etwa doppelt so hoch wie die der PMMA-Resists. Die Hauptkomponenten der Resists sind Novolak, Naphthochinondiazid (AR-P 7500), organischer Vernetzer und 1-Methoxy-2-propyl-acetat.

Ausführliche Produktinformationen zum Download
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