AR-N 7700, 7720

Die Negativ-Elektronenstrahlresists AR-N 7700 und 7720 sind chemisch verstärkte Resists, die sich durch exzellente Empfindlichkeit, hohe Auflösung und hohe Plasmaätzbeständigkeit auszeichnen. Diese Resists können auch in den UV-Bereichen von 248 – 265 nm und 290 – 330 belichtet werden. Hier wird ebenfalls eine negative Abbildung erhalten. Es lassen sich Strukturauflösungen von 40 bis 100 nm bei Schichtdicken zwischen 80 und 400 nm erzeugen. Der analog arbeitende E-Beam Resist AR-N 7720 ist im Vergleich zum kontrastreichen AR-N 7700 deutlich unempfindlicher.

Der AR-N 7700 verfügt über einen hohen Kontrast (> 5) und wird bei der Erzeugung sehr kleiner Strukturen eingesetzt. Durch die senkrechten Resistprofile entstehen „digitale Abbildungen“.

Dagegen ist der neu entwickelte Resist AR-N 7720 für die Erzeugung dreidimensionaler Resistprofile konzipiert, für die man auch die Grautöne, also möglichst flache Gradationen benötigt. Er verfügt daher über einen definiert niedrigen Kontrast von nahe 1, wodurch ein Schichtaufbau bis zur Ausgangsschichtdicke möglich ist. Damit können neben der üblichen Strukturabbildung auch definierte Resistprofile für diffraktive Optiken und Hologramme erzeugt werden.

Nach der strukturierenden Bestrahlung wird die Vernetzung in den bestrahlten Arealen durch eine Temperung induziert. Die Strukturen werden anschließend wässrig-alkalisch entwickelt.

Die Hauptkomponenten der Resists sind Novolak, modifizierter Novolak als Säuregenerator, Vernetzer und das safer-solvent-Lösemittel 1-Methoxy-2-propyl-acetat.

Ausführliche Produktinformationen zum Download
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