AR-P 630 … 670

Die E-Beam Resists der Serien AR-P 631-671 und AR-P 639-679 sowie der AR-P 632-672 sind positiv arbeitende, auf 0,2 μm filtrierte Elektronenstrahlresists, die für sämtliche Elektronenstrahlanwendungen geeignet sind. Ihre Eigenschaften entsprechen den hohen Anforderungen im lithografischen Maskierungsprozess bei der Herstellung von integrierten Schaltkreisen.

Die PMMA-Schichten zeichnen sich durch eine sehr gute Haftung auf Silizium, Glas und den meisten Metallen aus, dabei besitzt das Polymer 50K eine etwa 20 % höhere Empfindlichkeit als das Polymer 950K.

Die Resists können zur Planarisierung und für den Mehrlagenprozess eingesetzt werden. Speziell für die Nanometerlithographie sind Resists mit geringen Feststoffgehalten für Schichtdicken < 30 nm geeignet.

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