X AR-N 7700/30

Das Experimentalmuster X AR-N 7700/30 ist ein chemisch verstärkte Negativ- Elektronenstrahlresist, der sich durch hohe Empfindlichkeit und Auflösung sowie durch gute Plasmaätzstabilität auszeichnet. Er ist auch in den UV-Bereichen von 248 – 265 nm lichtempfindlich und damit für mix&match-Prozesse geeignet.

Im Verhältnis zum AR-N 7700.18 ist der Resist X AR-N 7700/30 wesentlich empfindlicher. Der Resist wird durch aminische Verunreinigungen nicht beeinflusst, er ist außerdem sehr prozess- und lagerstabil.

Nach der strukturierenden Bestrahlung wird die Vernetzung in den bestrahlten Arealen durch eine Temperung bei 105 °C induziert. Die Strukturen sind anschließend mit wässrig-alkalischen Entwicklern rückstandsfrei entwickelbar.

Die Empfindlichkeit des Resists liegt, in Abhängigkeit von Prozess und Schichtdicke, im Bereich von 20 – 30 μC/cm² (30 kV). Die Hauptkomponenten des Resists sind Novolak, lichtempfindliche Säuregeneratoren, Vernetzer und das safer-solvent-Lösemittel 1-Methoxy-2-propyl-acetat.

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