SX AR-N 7530/1

Der SX AR-N 7530/1 ist höchstauflösender Negativ-Elektronenstrahlresist hoher Empfindlichkeit und exzellenter Auflösung, der auch im Weißlicht verarbeitet werden kann. Sonst analog zum AR-N 7520 zeichnet sich der SX AR-N 7530/1 durch eine hohe Prozessstabilität aus, die daraus resultiert, dass die Vernetzung nicht auf dem Prinzip der chemischen Verstärkung beruht. Mix-&-match-Prozesse zwischen E-Beam- und UV-Belichtungen (248 – 290 nm) sind möglich, dabei arbeitet der Resist im UV negativ.

Es lassen sich Strukturauflösungen bis zu 30 nm bei Schichtdicken von 100 nm erzeugen. Der Resist verfügt über einen hohen Kontrast (> 8), die Entwicklung erfolgt wässrig-alkalisch.

Die Empfindlichkeit liegt zwischen der chemisch verstärkter Resists (z.B. AR-N 7700) und der PMMA-Resists. Die Plasmastabilität ist etwa doppelt so hoch wie die der PMMA-Resists.

Die Hauptkomponenten der Resists sind Novolak, organischer Vernetzer und 1-Methoxy-2-propyl-acetat.

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