E-Beam Resists
AR-N 7500, 7520
Negativ-E-Beam Resists für mix & match AR-N 7500 (hochauflösend) und Neuentwicklung AR-N 7520 (höchstauflösend).
Die Negativ-Elektronenstrahlresists AR-N 7500 und 7520 verfügen über eine hohe Empfindlichkeit und exzellente Auflösung. Sie zeichnen sich durch eine hohe Prozess- und Plasmaätzstabilität aus, die daraus resultiert, dass die Vernetzung nicht auf dem Prinzip der chemischen Verstärkung beruht.
Mix-&-match-Prozesse zwischen E-Beam- und UV-Belichtungen (310 - 450 nm) sind möglich. Die Resists AR-N 7500 arbeiten im UV-Bereich zwischen 310-450 nm wellenlängenabhängig positiv oder negativ. Dagegen ist der AR-P 7520 im Bereich von 248-270 nm und 310-365 nm ausschließlich negativ. Es lassen sich Strukturauflösungen von 20 bis 80 nm bei Schichtdicken zwischen 80 und 400 nm erzeugen.
Die Resists verfügen über einen hohen Kontrast (> 5), die Entwicklung erfolgt wässrig-alkalisch. Ihre Empfindlichkeit liegt zwischen der chemisch verstärkter Resists (z.B. AR-N 7700) und der PMMA-Resists.
Die Hauptkomponenten der Resists sind Novolak, Naphthochinondiazid (AR-P 7500), organischer Vernetzer und 1-Methoxy-2-propyl-acetat.
Die Negativ-Elektronenstrahlresists AR-N 7500 und 7520 verfügen über eine hohe Empfindlichkeit und exzellente Auflösung. Sie zeichnen sich durch eine hohe Prozess- und Plasmaätzstabilität aus, die daraus resultiert, dass die Vernetzung nicht auf dem Prinzip der chemischen Verstärkung beruht.
Mix-&-match-Prozesse zwischen E-Beam- und UV-Belichtungen (310 - 450 nm) sind möglich. Die Resists AR-N 7500 arbeiten im UV-Bereich zwischen 310-450 nm wellenlängenabhängig positiv oder negativ. Dagegen ist der AR-P 7520 im Bereich von 248-270 nm und 310-365 nm ausschließlich negativ. Es lassen sich Strukturauflösungen von 20 bis 80 nm bei Schichtdicken zwischen 80 und 400 nm erzeugen.
Die Resists verfügen über einen hohen Kontrast (> 5), die Entwicklung erfolgt wässrig-alkalisch. Ihre Empfindlichkeit liegt zwischen der chemisch verstärkter Resists (z.B. AR-N 7700) und der PMMA-Resists.
Die Hauptkomponenten der Resists sind Novolak, Naphthochinondiazid (AR-P 7500), organischer Vernetzer und 1-Methoxy-2-propyl-acetat.
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