Zusammensetzung Photoresist

Photoresists (Photolacke) werden insbesondere in der Mikroelektronik und Mikrosystemtechnik für die Produktion von µm- und sub-µm-Strukturen eingesetzt.

Positiv-Photoresist

Die von Allresist hergestellten Positiv-Photoresists bestehen aus einer Kombination von Schichtbildnern, wie z.B. Kresolnovolakharzen sowie lichtempfindlichen Komponenten, wie z.B. Naphthochinondiazide, gelöst in Lösemitteln, wie z.B. Methoxypropylacetat (entspricht PGMEA).
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Negativ-Photoresist

Für die Herstellung von Negativ-Photoresists werden neben Novolaken Bisazide, Säurebildner und aminische Komponenten in Lösemitteln (z.B. Methoxypropylacetat) gelöst.
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Schutzlacke
Schutzlacke (Protectiv-Coatings, Polymere PMMA, Polymere Kohlenwasserstoffe) werden bei sehr intensiven Ätzprozessen eingesetzt und verhindern eine Zerstörung der Substrate.
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Andere Resists

Die Bildumkehrlacke (Image Reversal Resists) sind Positivresists mit einem zusätzlichen Amin. Je nach Verarbeitungsprozess können positive oder negative Abbildungen erzeugt werden. Darüber hinaus gibt es noch Speziallacke wie die Positiv-Polyimidresists (Hochtemperatur-Anwendungen > 300 °C, Polymer Polyimid), Negativ-PMMA-Photoresists (wasserfreie Entwicklung für empfindliche Substrate, Polymer PMMA und Vernetzer), Positiv- und Negativ-Zweilagen-Photoresists (Lift-off-Technologie, Polymer Copolymer PMMA).
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