AllAdmin, Author at Allresist DE

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Einträge von AllAdmin

Oktober 2018: Medusa 82 – Stabiler und empfindlicher als der HSQ

Allresist ist es gelungen, eine Alternative zum HSQ zu entwickeln. Durch eine neue Modifikation des Polymers lässt sich der Resist Medusa sehr einfach handhaben.

Einweihung des neuen 450 m² großen Anbaues zum 26. Firmenjubiläum

Unser zweiter Anbau wurde dringend erforderlich, weil Allresist seit Jahren auf stetigem Wachstumskurs ist. Besonders die Hightech Produkte CSAR 62, Electra 92 und Atlas 46 made in Strausberg erfreuen sich großer Beliebtheit bei den Kunden im In- und Ausland.

CAR 44 für die E-Beam-Lithographie

Uns ist es nun gelungen, eine bemerkenswerte Lösung für die E-Beamstrukturierung hoher Schichten zu finden. Der Negativresist CAR 44 (AR-N 4400-10) wurde 9,5 µm hoch beschichtet, getrocknet und bestrahlt.

Atlas 46 für die E-Beam-Lithographie

Ein neues Anwendungsgebiet für den Atlas 46 ist die Elektronenstrahl-Lithographie. Eine dünne Atlas-Resistschicht wurde mittels E-Beamlithographie strukturiert. Die Schichtdicke betrug 450 nm, in diese Schicht wurden 200-nm-Linien geschrieben.

Medusa 82 für EUV-Anwendungen

EUV-Lithografie (auch kurz EUVL) ist ein Photolithographie-Verfahren, das elektromagnetische Strahlung mit einer Wellenlänge von 13,5 nm (91,82 eV) nutzt, sogenannte extrem ultraviolette Strahlung.

Medusa 82 Post-Exposure-Bake Einfluss (PEB)

Ein Zusatz von Photoacidgenerator (PAG) kann die Empfindlichkeit von Medusa 82 erheblich steigern (siehe Resist-Wiki Medusa 82 mit PAG). Eine weitere Möglichkeit besteht darin, nach der E-Beam-Belichtung einen PEB durchzuführen.

Medusa 82 mit Photoacidgenerator (PAG)

Ein Nachteil von HSQ und Medusa 82 ist die sehr geringe Empfindlichkeit. Durch Zusatz von Photoacidgeneratoren kann die Empfindlichkeit deutlich gesteigert werden.

MNE-Erfolg mit Medusa 82 in Kopenhagen

Wie bereits in den Vorjahren war das Interesse der Kongressteilnehmer an unseren vielfältigen Neuentwicklungen groß. Der absolute Höhepunkt war jedoch unsere Vorstellung von Medusa 82, einer exzellenten Alternative zum HSQ-Resists.

Strukturierung mittels Ablation des Resistmaterials

Das Grundprinzip der Laserablation ist, dass durch Laserbestrahlung einer bestimmten Wellenlänge so viel Energie in das für Ablation modifizierte Resistmaterial eingetragen wird, um das Resistpolymer zu zerstören und dieses dann als niedermolekulare Fragmente verdampft. Dieser Prozess kann durch Eintrag geeigneter Farbstoffzusätze begünstigt werden. Im Ergebnis entstehen transparente Strukturen (abladierte Flächen) in der sonst lichtundurchlässigen Fläche.

Phoenix 81 – Lagerbedingungen und Versand

In der Endphase des Projektes Eurostar PPA-Litho, das die Entwicklung des Phoenix zum Ziel hatte, ist es uns durch die Optimierung der Synthese gelungen, weitaus stabilere PPA-Polymere herzustellen. Die reinen Polyphthalaldehyde haben einen Stresstest über 14 Tage bei 37 °C ohne Zersetzung überstanden. Damit ist ein Versand ohne Kühlung möglich. Das triff jedoch nur auf die reinen PPA-Polymere zu.