Allresist auf der Semicon China
Im Rahmen des BadSaarowBridgeClubs nahmen einige Unternehmen des Club an der Semicon China 2003 teil. Herr Dr. Reichardt von der DAS GmbH, Dresden, stellte seine Erfahrungen und sein Büro in Shanghai zur Verfügung.
Technologietransferpreis an Allresist und IDM e.V. verliehen
Der 1. Preis wurde an das Entwicklungsteam zum Vorhaben „Thermostabile Resists für die Mikrosystemtechnik“ mit den Teilnehmern Priv.–Doz. Dr. habil. Burkhard Schulz von der Universität Potsdam und Dipl.
Aluminiumstrukturen direkt entwickelt
Strukturen aus Aluminium werden üblicherweise durch die Herstellung einer Lackmaske und anschließendem nasschemischen Ätzen erzeugt. Mit dem Experimentalmuster X AR-P 5900/4 kann die elegante Methode der Direktentwicklung angewendet werden.
Erfolgreiche Zertifizierung nach DIN ISO 9001:2000
Nach einer intensiven Vorbereitungszeit haben wir die erste Phase der Einführung des Qualitätsmanagementsystems am 19.12.2001 abgeschlossen. Herr Dr. Leonhardt vom TÜV Süd konnte uns bescheinigen,
Alkaliresistente Resists
Das Interesse an alkaliresistenten Schutzschichten ist bei vielen Anwendern groß. In unterschiedlich basische Medien sollen die schon erzeugten Strukturen geschützt werden. Dazu bedarf es Resists,
Resists für den Wellenlängenbereichvon 488 nm
Mit dem X AR-P 350/5 kann bei der Wellenlänge von 488 nm gearbeitet werden. Die Empfindlichkeit des Resists beträgt dabei ca. 2 J/cm². Für die gewünschten Anwendungen (holographische Gitter bzw.
Allresist in Strausberg
Innerhalb des letzten Jahres gab es große Veränderungen für die Allresist GmbH. Das neue, eigene Firmengebäude wurde im Dezember 1999 eingeweiht. Neben der Kapazitätserweiterung,
E-Beam-Lithographie an 5 µm dicken Resistschichten
Der Elektronenstrahlresist X AR-N 7700.38 wurde an der Humboldt-Universität-Berlin, Sektion Physik, getestet. Es wurden 5 µm dicke Resistschichten mit einer Beschleunigungsspannung von 20 kV bestrahlt und entwickelt.
Diffraktive Optiken mit dem „analogen“ E-Beamresist X AR-N 7700/18
In enger Zusammenarbeit mit der Universität Joensuu, Finnland, wurde ein E-Beamresist konzipiert, der in Abhängigkeit von der Bestrahlungsdosis eine dreidimensionales Resistprofil erzeugt.