HARMST 2005 in Korea
In diesem Beitrag wird der neu entwickelte Negativresist CAR 44 für die Mikrosystemtechnik vorgestellt. Der CAR 44 verfügt über ähnliche Eigenschaften wie der SU-8, besitzt jedoch darüber hinaus bedeutende Vorteile.
In diesem Beitrag wird der neu entwickelte Negativresist CAR 44 für die Mikrosystemtechnik vorgestellt. Der CAR 44 verfügt über ähnliche Eigenschaften wie der SU-8, besitzt jedoch darüber hinaus bedeutende Vorteile.
In der LIGA- und Mikrosystemtechnik wird weltweit der Negativresist SU-8 eingesetzt. Neben seinen anerkannt exzellenten Eigenschaften besitzt er jedoch auch einige Nachteile. Der Größte ist die äußerst schwierige Entfernbarkeit der vernetzten Strukturen nach dem Prozess.
Negativresists werden im Vergleich zu Positivresists in der Mikroelektronik deutlich seltener eingesetzt. Um jedoch auch für diese Applikationen einen erstklassigen Resist anbieten zu können,
Nunmehr zum 4. Mal nimmt Allresist an der Sensor-Messe in Nürnberg als Aussteller teil. Mitaussteller war das IDM e.V., Teltow. Wie in den letzten Jahren wurde eine Vielzahl von Kontakten geknüpft.
Im Rahmen des BadSaarowBridgeClubs nahmen einige Unternehmen des Club an der Semicon China 2003 teil. Herr Dr. Reichardt von der DAS GmbH, Dresden, stellte seine Erfahrungen und sein Büro in Shanghai zur Verfügung.
Der 1. Preis wurde an das Entwicklungsteam zum Vorhaben „Thermostabile Resists für die Mikrosystemtechnik“ mit den Teilnehmern Priv.–Doz. Dr. habil. Burkhard Schulz von der Universität Potsdam und Dipl.
Strukturen aus Aluminium werden üblicherweise durch die Herstellung einer Lackmaske und anschließendem nasschemischen Ätzen erzeugt. Mit dem Experimentalmuster X AR-P 5900/4 kann die elegante Methode der Direktentwicklung angewendet werden.
Nach einer intensiven Vorbereitungszeit haben wir die erste Phase der Einführung des Qualitätsmanagementsystems am 19.12.2001 abgeschlossen. Herr Dr. Leonhardt vom TÜV Süd konnte uns bescheinigen,
Das Interesse an alkaliresistenten Schutzschichten ist bei vielen Anwendern groß. In unterschiedlich basische Medien sollen die schon erzeugten Strukturen geschützt werden. Dazu bedarf es Resists,
Mit dem X AR-P 350/5 kann bei der Wellenlänge von 488 nm gearbeitet werden. Die Empfindlichkeit des Resists beträgt dabei ca. 2 J/cm². Für die gewünschten Anwendungen (holographische Gitter bzw.