April 2018: Fluoreszierende Negativ-Photoresists Atlas 46 S

Für die Herstellung optischer Skalierungen, wie z.B. bei Nachtsichtgeräten, bedient man sich der faszinierenden Möglichkeiten der Fluoreszenz. Dafür haben wir unseren Atlas 46 mit verschiedenen Fluoreszenzfarbstoffen zu versetzt.

Januar 2018: SU 8-Alternative – Negativ-Photoresist Atlas 46

Die hervorragenden Eigenschaften des SU-8 sind allen Anwendern der Mikrosystemtechnik bekannt. Der neue Negativresist Atlas 46 S (Solid) von Allresist ist einfach verarbeitbar mit hoher Reproduzierbarkeit der Eigenschaften und großer Widerstandsfähigkeit der Resiststrukturen gegenüber allen gängigen Lösemitteln. Damit ist Atlas 46 S für alle Anwendungen geeignet, bei denen die Schicht permanent und widerstandsfähig auf dem Substrat verbleiben soll.

Oktober 2017: Fluoreszierende Resiststrukturen mit SX AR-P 672.08

Fluoreszierende Strukturen werden für optische Komponenten und in der Mikroskopie benötigt. In enger Zusammenarbeit mit der Präzisionsoptik Gera GmbH ist es uns nun gelungen, PMMA E-Beamresists auf Anisolbasis mit fluoreszierenden Farbstoffen zu versetzen und diese mittels Elektronenstrahl-Lithographie zu strukturieren.

April 2017: Thermisch entwickelbarer Positivresist Phoenix 81

Die Polyphthalaldehyde eignen sich ebenso für die Elektronenstrahllithographie und wie auch für die Herstellung von 200 nm dicken Fäden (Electro spinning). Ein Material aus diesen Fäden verdampft augenblicklich, wenn man es erhitzt.

Januar 2017: Optimierung des Negativ-Sprühresist AR-N 2200

Der Sprühresist AR-N 2220 ist der weltweit einzige einsatzfertige Negativlack. Damit entfällt das aufwändiges und ungenaues Mischen eines mit Lösemitteln.

Januar 2017: Optimierung des Negativ-Sprühresist AR-N 2200

Der Sprühresist AR-N 2220 ist der weltweit einzige einsatzfertige Negativlack. Damit entfällt das aufwändige und ungenaue Mischen eines Lackes mit Lösemitteln. In enger Kooperation mit der EV Group in Schärding wurde der AR-N 2220 auf dem Spraycoater EVG®150 optimiert.

Oktober 2016: Optimierte T-Gate-Struktur mit Dreilagensystem

T-Gates werden für die Herstellung hochwertiger Transistoren benötigt. Allresist hat mehrere Dreilagensysteme für diesen Prozess optimiert. Dabei wurde sowohl ein universaler Entwickler für einen Entwicklungsschritt als auch mehrere selektive Entwickler für jede Schicht konzipiert.

Juli 2016: Negativ-PMMA-Resist für die Photolithographie

Empfindliche Substrate vertragen keine wässrig-alkalische Entwickler. Für solche Fälle wurde vor einigen Jahren der X AR-N 4800/16 entwickelt. Dieser Resist erfüllte die an ihn gestellten Anforderungen, jedoch gelang mit ihm nur ein Schichtaufbau auf 70 % bei mäßiger Empfindlichkeit.

Januar 2016: Electra 92 Produktionseinführung

Electra 92 hat die Feuertaufe bei den Anwendern gut bestanden. Immer mehr zufriedene Kunden geben ihr Feedback zu den exzellenten Eigenschaften des AR-PC 5090.02. Auch wurde eine zweite Modifikation, der AR-PC 5091, speziell für Novolak-basierte E-Beamresists entwickelt.

Oktober 2015: E-Beamlithographie auf Glas – CSAR 62 & Electra 92

Immer mehr Elektronenstrahlanwendungen werden auf isolierenden Substraten wie Glas, Quarz, Saphir oder Kunststoffen durchgeführt. Beim Schreiben mit dem Elektronenstrahl können die entstehenden Aufladungen nicht abgeleitet werden, die Strukturen verzeichnen. Durch das Auftragen einer leitfähigen Electra-Schicht auf den E-Beamresist vor der Bestrahlung wird dieses Problem schnell und zuverlässig beseitigt.