Fluoreszierende Strukturen werden für optische Komponenten und in der Mikroskopie benötigt. In enger Zusammenarbeit mit der Präzisionsoptik Gera GmbH ist es uns nun gelungen, PMMA E-Beamresists auf Anisolbasis mit fluoreszierenden Farbstoffen zu versetzen und diese mittels Elektronenstrahl-Lithographie zu strukturieren.
Die Polyphthalaldehyde eignen sich ebenso für die Elektronenstrahllithographie und wie auch für die Herstellung von 200 nm dicken Fäden (Electro spinning). Ein Material aus diesen Fäden verdampft augenblicklich, wenn man es erhitzt.
Der Sprühresist AR-N 2220 ist der weltweit einzige einsatzfertige Negativlack. Damit entfällt das aufwändiges und ungenaues Mischen eines mit Lösemitteln.
Der Sprühresist AR-N 2220 ist der weltweit einzige einsatzfertige Negativlack. Damit entfällt das aufwändige und ungenaue Mischen eines Lackes mit Lösemitteln. In enger Kooperation mit der EV Group in Schärding wurde der AR-N 2220 auf dem Spraycoater EVG®150 optimiert.
T-Gates werden für die Herstellung hochwertiger Transistoren benötigt. Allresist hat mehrere Dreilagensysteme für diesen Prozess optimiert. Dabei wurde sowohl ein universaler Entwickler für einen Entwicklungsschritt als auch mehrere selektive Entwickler für jede Schicht konzipiert.
Empfindliche Substrate vertragen keine wässrig-alkalische Entwickler. Für solche Fälle wurde vor einigen Jahren der X AR-N 4800/16 entwickelt. Dieser Resist erfüllte die an ihn gestellten Anforderungen, jedoch gelang mit ihm nur ein Schichtaufbau auf 70 % bei mäßiger Empfindlichkeit.
Electra 92 hat die Feuertaufe bei den Anwendern gut bestanden. Immer mehr zufriedene Kunden geben ihr Feedback zu den exzellenten Eigenschaften des AR-PC 5090.02. Auch wurde eine zweite Modifikation, der AR-PC 5091, speziell für Novolak-basierte E-Beamresists entwickelt.
Immer mehr Elektronenstrahlanwendungen werden auf isolierenden Substraten wie Glas, Quarz, Saphir oder Kunststoffen durchgeführt. Beim Schreiben mit dem Elektronenstrahl können die entstehenden Aufladungen nicht abgeleitet werden, die Strukturen verzeichnen. Durch das Auftragen einer leitfähigen Electra-Schicht auf den E-Beamresist vor der Bestrahlung wird dieses Problem schnell und zuverlässig beseitigt.
Der Bottom Resist AR-BR 5460 wird in Kombination mit Positiv- (z.B. AR-P 3510) oder Negativresists (z.B. AR-N 4340) seit einem Jahrzehnt bei vielen Lift-off-Applikationen eingesetzt. Mit diesen Strukturen kann sehr leicht ein Lift-off-Prozess realisiert werden.
Der Negativresist AR-N 4400-10 wurde mit einem Laser-Direktbelichter bei einer Belichtungswellenlänge von 405 nm strukturiert. Die Empfindlichkeit des Resists ist außerordentlich gut. ndere Negativresists sind ausschließlich für i-line (365 nm) Belichtungen ausgelegt. Somit bietet sich der Negativresist AR-N 4400-10 zusätzlich für verschiedene Anwendungen mit dem 405-nm-Laser an.