Juli 2016: Negativ-PMMA-Resist für die Photolithographie

Empfindliche Substrate vertragen keine wässrig-alkalische Entwickler. Für solche Fälle wurde vor einigen Jahren der X AR-N 4800/16 entwickelt. Dieser Resist erfüllte die an ihn gestellten Anforderungen, jedoch gelang mit ihm nur ein Schichtaufbau auf 70 % bei mäßiger Empfindlichkeit.

Januar 2016: Electra 92 Produktionseinführung

Electra 92 hat die Feuertaufe bei den Anwendern gut bestanden. Immer mehr zufriedene Kunden geben ihr Feedback zu den exzellenten Eigenschaften des AR-PC 5090.02. Auch wurde eine zweite Modifikation, der AR-PC 5091, speziell für Novolak-basierte E-Beamresists entwickelt.

Oktober 2015: E-Beamlithographie auf Glas – CSAR 62 & Electra 92

Immer mehr Elektronenstrahlanwendungen werden auf isolierenden Substraten wie Glas, Quarz, Saphir oder Kunststoffen durchgeführt. Beim Schreiben mit dem Elektronenstrahl können die entstehenden Aufladungen nicht abgeleitet werden, die Strukturen verzeichnen. Durch das Auftragen einer leitfähigen Electra-Schicht auf den E-Beamresist vor der Bestrahlung wird dieses Problem schnell und zuverlässig beseitigt.

Juli 2015: Prozessangepasster Zweilagenresist AR-BR 5460

Der Bottom Resist AR-BR 5460 wird in Kombination mit Positiv- (z.B. AR-P 3510) oder Negativresists (z.B. AR-N 4340) seit einem Jahrzehnt bei vielen Lift-off-Applikationen eingesetzt. Mit diesen Strukturen kann sehr leicht ein Lift-off-Prozess realisiert werden.

April 2015: Hochempfindlicher Negativresist AR-N 4400-10

Der Negativresist AR-N 4400-10 wurde mit einem Laser-Direktbelichter bei einer Belichtungswellenlänge von 405 nm strukturiert. Die Empfindlichkeit des Resists ist außerordentlich gut. ndere Negativresists sind ausschließlich für i-line (365 nm) Belichtungen ausgelegt. Somit bietet sich der Negativresist AR-N 4400-10 zusätzlich für verschiedene Anwendungen mit dem 405-nm-Laser an.

Januar 2015: Hochtemperaturbeständiger Positivresist SX AR-PC 3500/8

Nach gelungener Entwicklung des bis zu 350 °C temperaturstabilen Negativresists SX AR-N 4340/7 können wir nun auch eine temperaturbeständige Positiv-Variante anbieten. Dieser Positivresist heißt SX AR-PC 3500/8 und kann unter den gleichen Bedingungen wie „normale“ Positivresists belichtet und entwickelt werden, die Strukturen widerstehen dabei Temperaturen bis 300 °C.

Oktober 2014: Safer Solvent Schutzlack SX AR-PC 5040/1 

Unser Schutzlack AR-PC 504 hat sich in den letzten 6 Jahren vielfach bei unseren Kunden bewährt. Die Polymerschichten schützen die Substrate zuverlässig gegen konzentrierte Laugen und Säuren. Als Lösemittel wurde bisher Chlorbenzen verwendet, ein sehr gutes Lösemittel, das jedoch gesundheits- und umwelttechnisch nicht allen Ansprüchen genügt.

Juli 2014: Electra 92 – leitfähiger Schutzlack für E-Beam-Applikationen

Allresist hat gemeinsam mit dem IDM e.V., Teltow ein neues Polymer auf Polyanilin-Basis entwickelt. Unsere Optimierungsarbeiten nach den ersten Erfahrungsberichten der Anwender sind mittlerweile abgeschlossen, sodass wir nunmehr einen sehr guten leitfähigen Lack zur Ableitung von Aufladungen bei der E-Beam-Bestrahlung anbieten können.

April 2014: E-Beamresist CSAR 62 – ZEP 520-Alternative (Teil 2)

Im April 2013 berichteten wir im Rahmen unseres „Resist des Monats“ über den CSAR 62. Nach einer raschen Entwicklungsphase begann bereits im Mai der Verkauf des neuen Elektronenstrahllackes. Mittlerweile haben sehr viele Kunden den CSAR 62 eingesetzt, mit einem durchweg positiven Feedback über die Anwendungseigenschaften, Verfügbarkeit und Preis.

Oktober 2013: Thermostabiler Negativresist SX AR-N 4340/6

Der SX AR-N 4340/6 wäre z.B. eine gute Alternative zum BCB-Resist. Ein großer Vorteil unserer Neuentwicklung besteht in der wässrig-alkalischen Entwicklung und der Kompatibilität zur Standard-Photolithographie. Auch für andere Hochtemperatur-Technologien ist der SX AR-N 4340/6 gut geeignet, der neben seiner Temperaturbeständigkeit auch über eine hohe Plasmaätzbeständigkeit und gute isolierende Eigenschaften verfügt.

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