April 2012: Negativ-Lift-off-Photoresist AR-N 4450

In der 20. Ausgabe der AR NEWS wurde über den Negativ-Lift-off-Resist AR-N 4450 berichtet. Diese Arbeiten wurden weitergeführt. Jetzt stehen dem interessierten Anwender Prozess-Parameter zur Verfügung, um sich den gewünschten Unterschnitt einstellen zu können.

Januar 2012: Laser-Belichtung von > 500 nm bis NIR

Bisher konnten Strukturierungen mit einer Belichtungs-Wellenlänge > 500 nm aufgrund der geringen Empfindlichkeit der Photoresists nicht realisiert werden. Untersuchungen mittels Laser-Direktschreibens bei 532 nm und bei 1060 nm haben nachgewiesen, dass Strukturen durch die Verwendung spezieller Farbstoffe bei diesen Wellenlängen erzeugt werden können.

Oktober 2011: SX AR-N 5000/40 – Ein Zweilagen-Resistsystem zur Flusssäureätzung

Um Strukturen in Glas zu ätzen, ist bisher eine umständliche Technologie notwendig. Mit dem optimierten Zweilagen-System ist es möglich, diesen Prozess zu vereinfachen. Dabei wirkt der SX AR-PC 5000/40 allein als Schutzschicht. Die Schutzwirkung gegenüber der konzentrierten Flusssäure (48 %) beträgt bei einer Schichtdicke von 20 µm mindestens 4 Stunden, bei verdünnter Flussäure verlängert sich die Zeit auf über 10 Stunden.

Oktober 2010: SX AR-P 3210/22 – Dicklack mit verbesserter Abbildungsgüte

Durch eine Rezepturverbesserung der AR-P 3210-Serie wird es für Anwender einfacher, senkrechte Kanten seiner Strukturen bei einer hohen Maßhaltigkeit zu erzeugen. Die üblichen Anforderungen an Positiv-Dicklacke sind eine möglichst hohe Transparenz bei der Belichtungswellenlänge für eine gute Empfindlichkeit und ein geringer Abtrag der unbelichteten Flächen durch den alkalischen Entwickler.

Juli 2011: SX AR-P 7100 – ein silylierbarer Resist

Obwohl die Entwicklungsarbeiten noch laufen, möchten wir die Resists der Serie SX AR-P 7100 schon jetzt dem Fachpublikum vorstellen. Die gewünschten Eigenschaften lassen sich durch eine anschließende Silylierung einstellen. Dabei können sowohl eine Gasphasen- als auch eine Flüssigsilyierung genutzt werden.

April 2011: Zweilagensystem für 30-nm-Lift-off Strukturen

Mit einem PMMA-Zweilagen-System lassen sich Lift-off-Strukturen einfach realisieren. Um unseren Kunden exakte Prozessparameter zur Verfügung stellen zu können, wurden Untersuchungen an der Martin-Luther-Universität Halle, Institut für Physik, unter Leitung von Herrn Prof. Georg Schmidt durchgeführt. Die Versuche ergaben, dass sich bereits mit den Standardresists 30 nm Metall-Strukturen erzeugen lassen.

Januar 2011: Schnelltrocknender, hochauflösender Resist für Feinteilungen

Der SX AR-P 3740/4.6 erfüllt diese Voraussetzungen hervorragend. Ein speziell konzipiertes Lösemittelgemisch bewirkt eine rasche Trocknung: Die Resistzusammensetzung entspricht der unseres Standardresists AR-P 3740, bei dem mit der üblichen Photolithographie eine Auflösungen von 0,5 µm erreicht wird.

Juli 2010: SX AR-N 7520/3 – erste Ergebnisse auf der MNE 2010 in Genua

So können Strukturen von 40 nm mit einer guten Empfindlichkeit geschrieben werden. Das wird durch die sogenannten Hybrid-Lacke erreicht. Dabei wird die Empfindlichkeit des Standard-E-Beamresists AR-N 7520 (nicht chemisch verstärkt) unter Beibehaltung der exzellenten Auflösung durch den gezielten Zusatz von CAR-Komponenten (chemical amplified resist) deutlich verbessert.