Oktober 2012: Negativ-Photoresists AR-N 4400 – optimiertes Trocknungsregime
Für das neue Projekt VEGAS werden Resiststrukturen (Säulen) einer Schichtdicke von 10 bis zu 60 µm benötigt. Diese Säulen sollten sich streng zylinderförmig herstellen oder sich ggf. auch konisch nach unten verengen lassen.