Oktober 2012: Negativ-Photoresists AR-N 4400 – optimiertes Trocknungsregime

Für das neue Projekt VEGAS werden Resiststrukturen (Säulen) einer Schichtdicke von 10 bis zu 60 µm benötigt. Diese Säulen sollten sich streng zylinderförmig herstellen oder sich ggf. auch konisch nach unten verengen lassen.

Juli 2012: Innovation zur 32-nm-Technologie: SX AR-N 7520/4

Unser Standard-E-Beam Resist AR-N 7520 wird seit Jahren von unseren Kunden erfolgreich eingesetzt. Mit diesem Resist können Strukturen bis zu 40 nm bei einer Flächendosis von ca. 250 µC/cm² realisiert werden. Die relativ geringe Empfindlichkeit führt aber zu langen, unökonomischen Schreibzeiten.

April 2012: Negativ-Lift-off-Photoresist AR-N 4450

In der 20. Ausgabe der AR NEWS wurde über den Negativ-Lift-off-Resist AR-N 4450 berichtet. Diese Arbeiten wurden weitergeführt. Jetzt stehen dem interessierten Anwender Prozess-Parameter zur Verfügung, um sich den gewünschten Unterschnitt einstellen zu können.

Januar 2012: Laser-Belichtung von > 500 nm bis NIR

Bisher konnten Strukturierungen mit einer Belichtungs-Wellenlänge > 500 nm aufgrund der geringen Empfindlichkeit der Photoresists nicht realisiert werden. Untersuchungen mittels Laser-Direktschreibens bei 532 nm und bei 1060 nm haben nachgewiesen, dass Strukturen durch die Verwendung spezieller Farbstoffe bei diesen Wellenlängen erzeugt werden können.

Oktober 2011: SX AR-N 5000/40 – Ein Zweilagen-Resistsystem zur Flusssäureätzung

Um Strukturen in Glas zu ätzen, ist bisher eine umständliche Technologie notwendig. Mit dem optimierten Zweilagen-System ist es möglich, diesen Prozess zu vereinfachen. Dabei wirkt der SX AR-PC 5000/40 allein als Schutzschicht. Die Schutzwirkung gegenüber der konzentrierten Flusssäure (48 %) beträgt bei einer Schichtdicke von 20 µm mindestens 4 Stunden, bei verdünnter Flussäure verlängert sich die Zeit auf über 10 Stunden.

Oktober 2010: SX AR-P 3210/22 – Dicklack mit verbesserter Abbildungsgüte

Durch eine Rezepturverbesserung der AR-P 3210-Serie wird es für Anwender einfacher, senkrechte Kanten seiner Strukturen bei einer hohen Maßhaltigkeit zu erzeugen. Die üblichen Anforderungen an Positiv-Dicklacke sind eine möglichst hohe Transparenz bei der Belichtungswellenlänge für eine gute Empfindlichkeit und ein geringer Abtrag der unbelichteten Flächen durch den alkalischen Entwickler.

Juli 2011: SX AR-P 7100 – ein silylierbarer Resist

Obwohl die Entwicklungsarbeiten noch laufen, möchten wir die Resists der Serie SX AR-P 7100 schon jetzt dem Fachpublikum vorstellen. Die gewünschten Eigenschaften lassen sich durch eine anschließende Silylierung einstellen. Dabei können sowohl eine Gasphasen- als auch eine Flüssigsilyierung genutzt werden.

April 2011: Zweilagensystem für 30-nm-Lift-off Strukturen

Mit einem PMMA-Zweilagen-System lassen sich Lift-off-Strukturen einfach realisieren. Um unseren Kunden exakte Prozessparameter zur Verfügung stellen zu können, wurden Untersuchungen an der Martin-Luther-Universität Halle, Institut für Physik, unter Leitung von Herrn Prof. Georg Schmidt durchgeführt. Die Versuche ergaben, dass sich bereits mit den Standardresists 30 nm Metall-Strukturen erzeugen lassen.

Januar 2011: Schnelltrocknender, hochauflösender Resist für Feinteilungen

Der SX AR-P 3740/4.6 erfüllt diese Voraussetzungen hervorragend. Ein speziell konzipiertes Lösemittelgemisch bewirkt eine rasche Trocknung: Die Resistzusammensetzung entspricht der unseres Standardresists AR-P 3740, bei dem mit der üblichen Photolithographie eine Auflösungen von 0,5 µm erreicht wird.

Juli 2010: SX AR-N 7520/3 – erste Ergebnisse auf der MNE 2010 in Genua

So können Strukturen von 40 nm mit einer guten Empfindlichkeit geschrieben werden. Das wird durch die sogenannten Hybrid-Lacke erreicht. Dabei wird die Empfindlichkeit des Standard-E-Beamresists AR-N 7520 (nicht chemisch verstärkt) unter Beibehaltung der exzellenten Auflösung durch den gezielten Zusatz von CAR-Komponenten (chemical amplified resist) deutlich verbessert.