Mit einem PMMA-Zweilagen-System lassen sich Lift-off-Strukturen einfach realisieren. Um unseren Kunden exakte Prozessparameter zur Verfügung stellen zu können, wurden Untersuchungen an der Martin-Luther-Universität Halle, Institut für Physik, unter Leitung von Herrn Prof. Georg Schmidt durchgeführt. Die Versuche ergaben, dass sich bereits mit den Standardresists 30 nm Metall-Strukturen erzeugen lassen.
Der SX AR-P 3740/4.6 erfüllt diese Voraussetzungen hervorragend. Ein speziell konzipiertes Lösemittelgemisch bewirkt eine rasche Trocknung: Die Resistzusammensetzung entspricht der unseres Standardresists AR-P 3740, bei dem mit der üblichen Photolithographie eine Auflösungen von 0,5 µm erreicht wird.
So können Strukturen von 40 nm mit einer guten Empfindlichkeit geschrieben werden. Das wird durch die sogenannten Hybrid-Lacke erreicht. Dabei wird die Empfindlichkeit des Standard-E-Beamresists AR-N 7520 (nicht chemisch verstärkt) unter Beibehaltung der exzellenten Auflösung durch den gezielten Zusatz von CAR-Komponenten (chemical amplified resist) deutlich verbessert.