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12.11.1999

E-Beam-Lithographie an 5 µm dicken Resistschichten

Der Elektronenstrahlresist X AR-N 7700.38 wurde an der Humboldt-Universität-Berlin, Sektion Physik, getestet. Es wurden 5 µm dicke Resistschichten mit einer Beschleunigungsspannung von 20 kV bestrahlt und entwickelt.
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11.01.1999

Diffraktive Optiken mit dem „analogen“ E-Beamresist X AR-N 7700/18

In enger Zusammenarbeit mit der Universität Joensuu, Finnland, wurde ein E-Beamresist konzipiert, der in Abhängigkeit von der Bestrahlungsdosis eine dreidimensionales Resistprofil erzeugt.
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