Surface Imaging Resistsystem SX AR-N 7100 – silylierbarer Photoresist

Das Negativ-Photoresist-Experimentalmuster SX AR-N 7100 stellt ein oberflächenabbildendes und trockenentwickelbares System dar. Mit ihm können Strukturen mittels Plasmaätzung in dicke Resistschichten übertragen werden.

Alkalistabiler Positivlack nach Behandlung mit HMDS

Zahlreiche Anwendungen beinhalten einen nasschemischen Ätzschritt, sehr häufig mit stark alkalischen Ätzbädern.

Strukturierung von Polyphthalaldehyden mittels Photolithographie

PPA-Schichten sind lichtempfindlich und können daher auch mittels Fotolithographie direkt strukturiert werden. Eine Bestrahlung mit Licht der Wellenlänge <300nm (Hg-Dampflampe) führt zur Spaltung der Polymerketten unter Bildung leichtflüchtiger Bestandteile, die sich zum Teil schon bei Raumtemperatur zu verflüchtigen beginnen.

Ethanol und Toluol beständiger Photoresist AR-U 4060

Die Strukturen es Image Reversal Resist AR-U 4060 zeigen nach einer Flutbelichtung und einer anschließenden Temperung eine erhöhte Beständigkeit gegenüber Lösemitteln. Ethanol und Toluol greifen normale Positiv-Resistschichten schnell an und lösen sie in kurzer Zeit.

Zweilagen Photoresistsystem für wasserempfindliche Substrate

Wenn im Strukturierungsprozess kein Wasser mit dem Substrat in Kontakt kommen darf, ist ein Zweilagen Photoresistsystem, bestehend aus einem PMMA-Resist (Unterschicht) und einem Photoresist (Oberschicht), eine Alternative zu dem SX AR-N 4810/1.

Wasserfrei entwickelbarer Speziallack SX AR-N 4810/1

Der neue Speziallack SX AR-N 4810/1 ist ein chemisch verstärkter Photoresist, der auf PMMA basiert und wasserfrei – entscheidend im Fall feuchtigkeitsempfindlicher Substrate – mit organischen Lösungsmitteln entwickelt werden kann. SX AR-N 4810/1 wird als Lösung in Anisol angeboten und enthält neben PMMA noch Vernetzer und aminische Komponenten. Als Entwickler eignen sich X AR 300-74/1 oder MIBK.

Thermostabile Photoresists

Für zahlreiche Anwendungen werden Lacke benötigt, die über eine ausgezeichnete Temperaturstabilität verfügen. Strukturen des thermisch stabilen Negativresist SX AR-N 4340/6 halten Temperaturen bis zu 350 °C formtreu aus.

Wässriger Negativresist auf Gelatine Basis

In Gegenwart katalytisch wirkender Eisensalze kann Gelatine photochemisch negativ vernetzt werden. Die beschichteten Substrate werden dafür belichtet und kurz in verdünnter Wasserstoff­peroxidlösung, das als Vernetzer fungiert, geschwenkt.

Positiv-Polyimid-Einlagenresist

Polyimide werden durch Polykondensation aus Tetracarbonsäuredianhydriden und Diaminen hergestellt. Für thermisch höchste Beanspruchung sind nur Polyimide geeignet, die aromatische Bausteine in der Polymerkette enthalten.

UV-Strukturierung PMMA Resists

Es ist möglich, PMMA-Resists auch mittels der UV-Lithographie zu strukturieren, allerdings nur mit einer Belichtungswellenlänge von 200 – 270 nm (Tief-UV). Die typische Wellenlänge ist die niedrigste Linie der Quecksilberhochdruck-