Beschichtungsbedingungen

Resists müssen vor der Beschichtung an die Temperatur des möglichst klimatisierten Arbeitsraumes angepasst werden. Zu kalter Lack zieht Wasser aus der Luftfeuchtigkeit.

PMMA-E-Beamresist mit flacher Gradation für dreidimensionale Strukturen

Für die Herstellung von dreidimensionalen Strukturen ist es von Vorteil, wenn die Gradation (Kontrast) niedrig ist. Ein Resist mit einem sehr hohen Kontrast wird immer (fast) senkrechte Resistflanken generieren.

CSAR 62 – Wirkprinzip

Im Vergleich mit den PMMA-Resists verfügt der CSAR 62 über eine höhere Empfindlichkeit und eine deutlich bessere Plasmaätzbeständigkeit.

Thermisch stabile Zweilagen-lift-off-Systeme

Bei den Anwendungen der Lift-off-Strukturen treten beim z.B. Besputtern häufig Temperaturen von über 150 °C auf. Mit den üblichen Photoresists als Top-Layer kommt es dann zum Schmelzen der Lift-off-Struktur, wodurch sie unbrauchbar für den Prozess wird.

Gebrauchsfertige Sprühresists mit EVG-Geräten (Positiv und Negativ)

Das Spray-Coating wird oft für die Beschichtung komplizierter Topologien verwendet. Es gibt verschiedene Hersteller für Spray-Coating Geräte, die beiden wohl bekanntesten sind die EV Group und Süss Microtec.

Haftfestigkeit

Zur Verbesserung der Haftung dienen Haftvermittler, wie z.B. der Adhäsionspromotor AR 300-80, der unmittelbar vor der Lackbeschichtung mittels Spincoating als dünne, ca. 15 nm dicke Schicht aufgetragen wird.

Verdünnung von Resists

Fast alle Photoresists beinhalten als Lösemittel PMA (PGMEA). Dieses Lösemittel ist deshalb auch der gebräuchlichste Verdünner und wird von uns unter der Bezeichnung AR 300-12 angeboten.

Allgemeines: Resistzusammensetzung

Die mit Abstand meist gebrauchten Resists sind die Positiv-Photoresists, gefolgt von den Negativ-Photoresists. Es gibt jedoch auch andere Speziallacke.

Schwarzlack

Bei erstaunlich vielen Anwendungen ist es wichtig, die Licht-Durchlässigkeit der Substrate vollständig zu unterbinden, jedoch trotzdem noch strukturieren zu können.  Am besten sollte der optisch geschützte Bereich den gesamten UV/VIS-Bereich abdecken, also von 200 – 1.000 nm.

ATLAS 46 allgemein

Die beiden  Resists Atlas 46 S = AR-N 4600-10 und Atlas 46 R = AR-N 4650-10 sind negativ arbeitende Photoresists hoher Schichtdicke mit extrem stabilen Resiststrukturen. Der 4650-10 ist zusätzlich wieder leicht entfernbar und damit für photolithographische und Galvanik-Anwendungen sehr gut geeignet.  AR-N 4600-10 ist in seinen Eigenschaften vergleichbar mit dem SU-8.