In der Elektronenstrahllithographie gibt es sowohl maskenbasierte als auch maskenlose Schreibverfahren. Beim direkten, maskenlosen Schreiben verwenden ältere Systeme Elektronenstrahlen mit gaußförmiger Energieverteilung, die im Raster über das Substrat geführt werden.
Wesentliche Bestandteile von Elektronenstrahllithografiesysteme sind die Elektronenquelle, das elektrooptischen System und das Fokussierungssystem (Ablenkungs- bzw. Projektionseinheit). Für Geräte niedrigerer Auflösung werden Glühkathoden verwendet, bei Geräten mit höherer Auflösung werden dagegen bevorzugt thermische Feldemissionsquellen benutzt.
Die Elektronenstrahllithographie ist ein spezielles Verfahren zur Strukturierung elektronen-strahlempfindlicher Lackschichten für die Herstellung mikroelektronischer Schaltkreise und der in der Photolithographie verwendeten Fotomasken.
Die Schichten und die Strukturen der E-Beam-Polymere haben eine unterschiedliche Temperatur Beständigkeit. Dabei sind die PMMA-Schichten am stabilsten. Bei Temperaturen bis 260 °C bleiben die Strukturen erhalten, es treten nur Verrundungen der Lackkanten auf.
CSAR 62 eignet sich auch sehr gut zur Erzeugung regelmäßiger Gitterstrukturen, die z.B. für die Untersuchung von Quanteneffekten mit Elektronen (2d-Elektronengas) verwendet werden können.
Am Karlsruher Institut für Technologie (KIT, Institut für Mikrostrukturtechnik, Dr. Lothar Hahn) wurde die Eignung von CSAR 62 für die Herstellung komplizierter Architekturen detailliert untersucht
Das Copolymer aus Methylmethacrylat und Methacrylsäure ist im Gegensatz zu den reinen PMMA´s in der Lage, bei einer thermischen Belastung einen 6-Ring zu bilden.
Der hochempfindliche E-Beamresist CSAR 62 kann neben dem Einsatz in der E-Beam-Lithographie auch durch Belichtung mittels UV-Strahlung strukturiert werden, da der Resist im Wellenlängen-bereich von 190 – 240nm UV-Strahlung stark absorbiert.
Mr. Y. Nori von der Lancaster Uni (Department of Physics, UK) konnte unter Einsatz von CSAR 62 sehr erfolgreich Strukturen für die Herstellung von photonischen Kristallen erzeugen.
Auch der hochempfindliche E-Beamresist CSAR 62 kann als Maske für einen Ätzprozess mit HF (BOE, 10:1) eingesetzt werden.