Einsatz von Electra 92 für REM-Anwendungen
Die Beschichtung mit Electra 92 auf elektrisch isolierend wirkenden Polymeren ermöglichte die qualitativ hochwertige Abbildung von Nanostrukturen im REM.
Herstellung plasmonischer Strukturen mit CSAR 62
Bei der Herstellung plasmonischer Strukturen können mit Electra 92 unerwünschten Aufladungen auf Quarzsubstraten vermieden werden.
CSAR 62-Untersuchungen zu neuen empfindlichen Entwicklern
CSAR 62-Schichten können auch durch eine intensive UV-Belichtung strukturiert werden. Die bestrahlten Schichten wurden mit unterschiedlichen Lösungsmitteln entwickelt und die beobachteten Empfindlichkeiten miteinander verglichen.
CSAR 62-Entwicklung bei tieferen Temperaturen
Die Empfindlichkeit des CSAR 62 kann durch die Wahl des Entwicklers sehr stark beeinflusst werden. Im Vergleich zum Standard-Entwickler AR 600-546 kann die Empfindlichkeit bei der Verwendung des AR 600-548 fast verzehnfacht werden.
CSAR-Strukturen auf Glas
Die Verwendung einer Kombination von CSAR 62 und Electra 92 ermöglicht die Erzeugung komplizierter Strukturen auf isolierenden Glas.
PMMA-Lift-off-Strukturen auf Halb-Edelstein-Substraten mittels Electra 92
Halbedelsteine gewinnen als Substrate für die Halbleiterindustrie an Bedeutung. Mit Electra 92 ist eine Strukturierung möglich.
Electra 92-Variante optimiert für Novolak-basierte Resists
Durch höheren Lösemittel-Anteil werden Novolak-Lacke angegriffen. Deshalb wurde ein Lack konzipiert, der bessere Beschichtungseigenschaften aufweist.
Leitfähigkeit unter den Anwendungsbedingungen der E-Beam Lithographie
Die ermittelte Leitfähigkeit der Schichten wird nicht nur von der Temperatur stark beeinflusst, sondern hängt auch direkt von der Luftfeuchtigkeit ab.
Langzeitstabilität von Electra 92
Electra 92 besitzt auch nach 15 monatiger Lagerzeit noch unverändert gute Leitfähigkeitseigenschaften, entsprechend einer sehr hohen Lagerstabilität.
E-Beam Resists auf Basis von Polyphthalaldehyden
PPA-Schichten können durch Elektronenbeschuss direkt positiv strukturiert werden. Ähnlich wie bei der Bestrahlung der sonst verwendeten E-Beam Resists, wie z.B. CSAR 62 oder PMMA, bewirkt der Elektronenstrahl eine Fragmentierung der Polymerketten.