Thermo-strukturierbare Polymere – neue Lithographie-Anwendungen
Im Rahmen des Eurostar-Projekts PPA-Litho evaluiert Allresist mit anderen Kooperationspartnern neuartige, hochwertige Resists auf der Basis von Polyphthalaldehyd (PPA).
Strukturierung des leitfähigen Schutzlacks Electra 92
Eine Strukturierung des leitfähigen Lackes Electra 92 ist in einem gewissen Umfang möglich. Dazu wird folgendes Verfahren verwendet: Auf dem Substrat wird ein Negativ-Resist (z.B. AR-N 4340) beschichtet, belichtet und entwickelt.
Hohe Auflösung auf Quarz durch Electra 92 auf einem HSQ-Resist
Ohne Einsatz einer leitfähigen Beschichtung ist eine präzise Strukturierung auf Quarz nicht möglich. Die Raith GmbH hat untersucht, dass nach Beschichtung mit Electra 92 ein HSQ-Resist XR1541 auf einem Quarzsubstrat mit sehr guter Qualität strukturiert werden konnten.
CSAR 62 Vermeidung von Partikeln bei großflächigen Bestrahlungen
Bei der Bestrahlung und folgenden Entwicklung großer Strukturen (> 1 µm) treten gelegentlich Partikel auf den freientwickelten Flächen auf.
CSAR 62 lift-off für dicke Schichten
Für Spezial-Anwendungen, wo mittels Lift-off-Technik Metalldicken von einigen Hundert Nanometern erzeugt werden sollen, bedarf es auch höhere Schichten.
CSAR 62 dicke Schichten
Inzwischen gehört der hochempfindliche E-Beam Resist CSAR 62 zu unseren sehr erfolgreichen Produkten. Bisher bieten wir 4 Standardvarianten an.
Dicker CSAR 62
Einige Anwendungen, z.B. die Herstellung tief-geätzter Strukturen durch Plasmaätzen, erfordert die Prozessierung dickerer Resistschichten, wobei insbesondere für die Elektronenstrahllithographie eine hohe Empfindlichkeit von großer Bedeutung ist.
Chemisch verstärkter, hochempfindlicher Negativ-E-Beamresist SX AR-N 7730/37
Mit SX AR-N 7730/37 wollen wir einen neuen negativen CAR E-Beamresist vorstellen. Der Resist zeigt eine sehr hohe Empfindlichkeit bei gleichzeitig hoher Prozessstabilität.
Verhältnis Auflösung und Dosis am Beispiel des E-Beamresist SX AR-N 7530/1
Prozessstabile Negativ-Lacksysteme, die bei einer ausreichenden Empfindlichkeit Auflösungen < 30 nm ermöglichen, sind von zunehmenden Interesse für Anwendungen der Elektronenstrahllithographie.
Lösemittel in E-Beamresists
Die Elektronenstrahllithographie begann mit den PMMA-Resists Anfang der 80er Jahre. Dabei wurde als das beste Lösemittel Chlorbenzen ausgewählt. Dieses Lösemittel löst die unterschiedlichen PMMA´s (verschiedene Molmassen von 50K bis 950K)