E-Beam Resist: Verfahren

In der Elektronenstrahllithographie gibt es sowohl maskenbasierte als auch maskenlose Schreibverfahren. Beim direkten, maskenlosen Schreiben verwenden ältere Systeme Elektronenstrahlen mit gaußförmiger Energieverteilung, die im Raster über das Substrat geführt werden.

Elektronenstrahllithografiesysteme

Wesentliche Bestandteile von Elektronenstrahllithografiesysteme sind die Elektronenquelle, das elektrooptischen System und das Fokussierungssystem (Ablenkungs- bzw. Projektionseinheit). Für Geräte niedrigerer Auflösung werden Glühkathoden verwendet, bei Geräten mit höherer Auflösung werden dagegen bevorzugt thermische Feldemissionsquellen benutzt.

E-Beam-Resists: Allgemeines

Die Elektronenstrahllithographie ist ein spezielles Verfahren zur Strukturierung elektronen-strahlempfindlicher Lackschichten für die Herstellung mikroelektronischer Schaltkreise und der in der Photolithographie verwendeten Fotomasken.