Gebrauchsfertige Sprühresists mit EVG-Geräten (Positiv und Negativ)

Das Spray-Coating wird oft für die Beschichtung komplizierter Topologien verwendet. Es gibt verschiedene Hersteller für Spray-Coating Geräte, die beiden wohl bekanntesten sind die EV Group und Süss Microtec.

Medusa 82 für EUV-Anwendungen

EUV-Lithografie (auch kurz EUVL) ist ein Photolithographie-Verfahren, das elektromagnetische Strahlung mit einer Wellenlänge von 13,5 nm (91,82 eV) nutzt, sogenannte extrem ultraviolette Strahlung.

Medusa 82 Post-Exposure-Bake Einfluss (PEB)

Ein Zusatz von Photoacidgenerator (PAG) kann die Empfindlichkeit von Medusa 82 erheblich steigern (siehe Resist-Wiki Medusa 82 mit PAG). Eine weitere Möglichkeit besteht darin, nach der E-Beam-Belichtung einen PEB durchzuführen.

Medusa 82 mit Photoacidgenerator (PAG)

Ein Nachteil von HSQ und Medusa 82 ist die sehr geringe Empfindlichkeit. Durch Zusatz von Photoacidgeneratoren kann die Empfindlichkeit deutlich gesteigert werden.

Medusa 82 – die Alternative zum HSQ-Resist, Lagerstabilität

Unserem Forschungsteam ist es gelungen, einen Negativresist hoher Auflösung und Plasmaätzstabilität in Sauerstoff zu entwickeln: der Medusa 82. Bereits mit den ersten Mustern gelang es die Eigenschaften des HSQ zu erreichen.

Einsatz von Electra 92 für REM-Anwendungen

Die Beschichtung mit Electra 92 auf elektrisch isolierend wirkenden Polymeren ermöglichte die qualitativ hochwertige Abbildung von Nanostrukturen im REM.

Chemisch verstärkter, hochempfindlicher Negativ-E-Beamresist SX AR-N 7730/37

Mit SX AR-N 7730/37 wollen wir einen neuen negativen CAR E-Beamresist vorstellen. Der Resist zeigt eine sehr hohe Empfindlichkeit bei gleichzeitig hoher Prozessstabilität.

Verhältnis Auflösung und Dosis am Beispiel des E-Beamresist SX AR-N 7530/1

Prozessstabile Negativ-Lacksysteme, die bei einer ausreichenden Empfindlichkeit Auflösungen < 30 nm ermöglichen, sind von zunehmenden Interesse für Anwendungen der Elektronenstrahllithographie.

AR-N 7700, 4 µm dick, Proximity-Effekt

Ziel der Elektronenstrahllithographie ist im Allgemeinen eine maximale Auflösung. Deshalb werden normalerweise auch sehr dünne Schichten verwendet (50 – 500 nm). In einigen Fällen sind aber auch kleine Strukturen mit einem hohen Aspektverhältnis interessant.