Von Allresist wurde ein E-Beamresist konzipiert, der in Abhängigkeit von der Bestrahlungsdosis ein dreidimensionales Resistprofil erzeugt. Für die übliche Strukturierung wird von einem Resist eigentlich nur ein zweidimensionales Verhalten erwartet.
Ein prozessstabiler, ausreichend empfindlicher E-Beamresist mit einer Auflösung um 30 nm wird für Forcierung der Elektronenstrahllithographie dringend benötigt. Die chemisch verstärkten E-
Die Elektronenstrahllithographie begann in den 1980er Jahren mit den PMMA-Resists. Diese Lacke sind im Wellenlängen-UV-Bereich von über 300 nm absolut lichtunempfindlich. Deshalb benötigen die Reinräume,