Für die Herstellung von dreidimensionalen Strukturen ist es von Vorteil, wenn die Gradation (Kontrast) niedrig ist. Ein Resist mit einem sehr hohen Kontrast wird immer (fast) senkrechte Resistflanken generieren.
Im Vergleich mit den PMMA-Resists verfügt der CSAR 62 über eine höhere Empfindlichkeit und eine deutlich bessere Plasmaätzbeständigkeit.
Mit unserer Neuentwicklung E-beam Resist AR-P 6200 (CSAR 62) lassen sich sehr feine Strukturen, wie z.B. 10nm breite Gräben, mit sehr hohem Kontrast >14 generieren bei vergleichsweise hoher Empfindlichkeit.
T-Gate-Strukturen werden häufig für die Realisierung elektronischer Bauelemente (MEMS, HEMTs) benötigt. Entsprechende Nanostrukturen können mittels E-Beamlithografie in Mehrlagenprozessen realisiert werden.
Intensive Plasmaätzanwendungen zur Herstellung tiefer Ätzstrukturen mit hohem Aspektverhältnis erfordern ätzstabile Resists und höhere Schichtdicken, die jedoch besondere Anforderungen an Auflösung und Kontrast stellen.
Der DESIRE-Prozess (siehe Wiki Top Surface Imaging Photoresist) kann auch für die Elektronenstrahllithographie genutzt werden. Dabei gibt es jedoch Unterschiede zwischen der Photo- und der E-Beamlithographie. In die Resistschicht werden mittels Elektronen Strukturen geschrieben.
CSAR 62 eignet sich auch sehr gut zur Erzeugung regelmäßiger Gitterstrukturen, die z.B. für die Untersuchung von Quanteneffekten mit Elektronen (2d-Elektronengas) verwendet werden können.
Am Karlsruher Institut für Technologie (KIT, Institut für Mikrostrukturtechnik, Dr. Lothar Hahn) wurde die Eignung von CSAR 62 für die Herstellung komplizierter Architekturen detailliert untersucht
Das Copolymer aus Methylmethacrylat und Methacrylsäure ist im Gegensatz zu den reinen PMMA´s in der Lage, bei einer thermischen Belastung einen 6-Ring zu bilden.
Der hochempfindliche E-Beamresist CSAR 62 kann neben dem Einsatz in der E-Beam-Lithographie auch durch Belichtung mittels UV-Strahlung strukturiert werden, da der Resist im Wellenlängen-bereich von 190 – 240nm UV-Strahlung stark absorbiert.