CSAR 62 Einlagen-lift-off System

Mit unserer Neuentwicklung E-beam Resist AR-P 6200 (CSAR 62) lassen sich sehr feine Strukturen, wie z.B. 10nm breite Gräben, mit sehr hohem Kontrast >14 generieren bei vergleichs­weise hoher Empfindlichkeit.

Dreilagensystem CSAR 62 / PMMAcoMA / PMMA

T-Gate-Strukturen werden häufig für die Realisierung elektronischer Bauelemente (MEMS, HEMTs) benötigt. Entsprechende Nanostrukturen können mittels E-Beamlithografie in Mehrlagenprozessen realisiert werden.

CSAR 62 für dicke Schichten

Mit dem AR-P 6200.18 wurden 1,5 µm dicke Schichten erzeugt. Wie Untersuchungen am KIT (IMT, Dr. Lothar Hahn) zeigen, lassen sich bei dieser Schichtdicke sehr regelmäßige Gräben mit einer Breite von 300 nm bei einer Periode von 300 nm realisieren.

Top Surface Imaging E-Beamresist

Der DESIRE-Prozess (siehe Wiki Top Surface Imaging Photoresist) kann auch für die Elektronenstrahllithographie genutzt werden. Dabei gibt es jedoch Unterschiede zwischen der Photo- und der E-Beamlithographie. In die Resistschicht werden mittels Elektronen Strukturen geschrieben.

Verwendung von CSAR 62 zur Herstellung von Nanostrukturen auf GaAs-Substraten

CSAR 62 eignet sich auch sehr gut zur Erzeugung regelmäßiger Gitterstrukturen, die z.B. für die Untersuchung von Quanteneffekten mit Elektronen (2d-Elektronengas) verwendet werden können.

Mit 100kV geschriebene CSAR 62-Nanostrukturen

Am Karlsruher Institut für Technologie (KIT, Institut für Mikrostrukturtechnik, Dr. Lothar Hahn) wurde die Eignung von CSAR 62 für die Herstellung komplizierter Architekturen detailliert untersucht

Hochempfindlicher E-Beamresist AR-P 617 (PMMA-Copolymer)

Das Copolymer aus Methylmethacrylat und Methacrylsäure ist im Gegensatz zu den reinen PMMA´s in der Lage, bei einer thermischen Belastung einen 6-Ring zu bilden.

CSAR 62 für EUV-Anwendungen

Der hochempfindliche E-Beamresist CSAR 62 kann neben dem Einsatz in der E-Beam-Lithographie auch durch Belichtung mittels UV-Strahlung strukturiert werden, da der Resist im Wellenlängen-bereich von 190 – 240nm UV-Strahlung stark absorbiert.

HF-Ätzung von GaAs mit CSAR 62-Maske

Mr. Y. Nori von der Lancaster Uni (Department of Physics, UK) konnte unter Einsatz von CSAR 62 sehr erfolgreich Strukturen für die Herstellung von photonischen Kristallen erzeugen.

BOE-Ätzung von SiO2 mit CSAR 62-Maske

Auch der hochempfindliche E-Beamresist CSAR 62 kann als Maske für einen Ätzprozess mit HF (BOE, 10:1) eingesetzt werden.