AR-P 617 Zweilagen-lift-off System
Eine weitere Variante zum Aufbau von Zweilagensystemen geht nur von einem Resist aus: AR-P 617 (PMMAcoMA 33).
PMMA-E-Beamresist positiv und bei Überbelichtung negativ, geeignet für Brückenstrukturen
PMMA-Resist arbeiten unter den Standardbedingungen positiv. Die langen Polymerketten werden durch die Bestrahlung gebrochen, es entstehen kleine Bruchstücke.
Dreilagensystem CSAR 62 / PMMAcoMA / PMMA
Eine weitere Variante zum Aufbau von Dreilagensystemen verwendet 950k PMMA als Bottomresist, AR-P 617 als mittlere Schicht und CSAR 62 als Topresist.
PMMA-E-Beamresist mit flacher Gradation für dreidimensionale Strukturen
Für die Herstellung von dreidimensionalen Strukturen ist es von Vorteil, wenn die Gradation (Kontrast) niedrig ist. Ein Resist mit einem sehr hohen Kontrast wird immer (fast) senkrechte Resistflanken generieren.
CSAR 62 – Wirkprinzip
Im Vergleich mit den PMMA-Resists verfügt der CSAR 62 über eine höhere Empfindlichkeit und eine deutlich bessere Plasmaätzbeständigkeit.
CSAR 62 Einlagen-lift-off System
Mit unserer Neuentwicklung E-beam Resist AR-P 6200 (CSAR 62) lassen sich sehr feine Strukturen, wie z.B. 10nm breite Gräben, mit sehr hohem Kontrast >14 generieren bei vergleichsweise hoher Empfindlichkeit.
T-Gates mit dem Dreilagensystem CSAR 62 / PMMAcoMA / PMMA
T-Gate-Strukturen werden häufig für die Realisierung elektronischer Bauelemente (MEMS, HEMTs) benötigt. Entsprechende Nanostrukturen können mittels E-Beamlithografie in Mehrlagenprozessen realisiert werden.
CSAR 62 für dicke Schichten
Intensive Plasmaätzanwendungen zur Herstellung tiefer Ätzstrukturen mit hohem Aspektverhältnis erfordern ätzstabile Resists und höhere Schichtdicken, die jedoch besondere Anforderungen an Auflösung und Kontrast stellen.
Top Surface Imaging E-Beamresist
Der DESIRE-Prozess (siehe Wiki Top Surface Imaging Photoresist) kann auch für die Elektronenstrahllithographie genutzt werden. Dabei gibt es jedoch Unterschiede zwischen der Photo- und der E-Beamlithographie. In die Resistschicht werden mittels Elektronen Strukturen geschrieben.
Temperaturbeständigkeit E-Beam-Polymere
Die Schichten und die Strukturen der E-Beam-Polymere haben eine unterschiedliche Temperatur Beständigkeit. Dabei sind die PMMA-Schichten am stabilsten. Bei Temperaturen bis 260 °C bleiben die Strukturen erhalten, es treten nur Verrundungen der Lackkanten auf.