CSAR 62 Vermeidung von Partikeln bei großflächigen Bestrahlungen
Bei der Bestrahlung und folgenden Entwicklung großer Strukturen (> 1 µm) treten gelegentlich Partikel auf den freientwickelten Flächen auf.
CSAR 62 lift-off für dicke Schichten
Für Spezial-Anwendungen, wo mittels Lift-off-Technik Metalldicken von einigen Hundert Nanometern erzeugt werden sollen, bedarf es auch höhere Schichten.
CSAR 62 dicke Schichten
Inzwischen gehört der hochempfindliche E-Beam Resist CSAR 62 zu unseren sehr erfolgreichen Produkten. Bisher bieten wir 4 Standardvarianten an.
Dicker CSAR 62
Einige Anwendungen, z.B. die Herstellung tief-geätzter Strukturen durch Plasmaätzen, erfordert die Prozessierung dickerer Resistschichten, wobei insbesondere für die Elektronenstrahllithographie eine hohe Empfindlichkeit von großer Bedeutung ist.
Lösemittel in E-Beamresists
Die Elektronenstrahllithographie begann mit den PMMA-Resists Anfang der 80er Jahre. Dabei wurde als das beste Lösemittel Chlorbenzen ausgewählt. Dieses Lösemittel löst die unterschiedlichen PMMA´s (verschiedene Molmassen von 50K bis 950K)
Kollabieren von extrem aufgelösten E-Beam-Resiststrukturen
Ein typisches Problem einer extremen Auflösung bei einem Aspektverhältnis > 10 ist das Kollabieren der Stege. In Abb. 1 sind 10-nm-Gräben mit einem Pitch von 50 nm zu sehen. Diese Strukturen wurden mit dem CSAR 62 (SX AR-
Zweilagen-PMMA-E-Beam Resist System für höchste Lift-off-Auflösung
Die PMMA-Resists (90K und 200K) wurden für den Lift-off-Prozess von hochauflösenden Strukturen als Zweilagenprozess auf eine Schichtdicke von 90 nm bis 100 nm eingestellt. Dieses Resistsystem eignet sich zur Herstellung von sub-
Hochauflösender PMMA-Einlagen-Resist
Bei der Verwendung des SX AR-P 640/2 (PMMA 90K) als Einlagensystem kann durch die Veränderung der Prozessparameter, insbesondere der Dosis, eine noch bessere Auflösung erzielt werden.
Positiv-Polyimid-Resist für die E-Beam-Lithographie
Erste Versuche mit unserm SX AR-P 5000/82.7 mittels Elektronenstrahllithographie ergaben den Nachweis, dass sich dieser Resist gut strukturieren lässt. Damit ist die Möglichkeit gegeben,