Entwicklung PMMA-Schichten PMMA-Schichten lassen sich nur mit lösemittelhaltigen Entwicklern entwickeln. Wässrig-alkalische Entwickler greifen das PMMA nicht im Geringsten an. PMMA wird sogar als Schutzlack gegen stark alkalische Lösungen verwendet (siehe Schutzlacke AR-
Gasbläschen entstehen, wenn z.B. die Lackflasche vor der Beschichtung geschüttelt bzw. stärker bewegt wurde oder der Lack verdünnt wurde.
Photoresiststrukturen der Standard-Lacke besitzen einen Erweichungspunkt von 115 – 130°C. Bei sich anschließenden thermischen Prozessen (Plasmaätzen, Sputtern usw.) können diese Temperaturen leicht überschritten werden.
Positivlack Die Zugabe der lichtempfindlichen Komponente (LEK, Naphthochinondiazide (NCD)) zum alkalilöslichen Novolak bewirkt eine Verringerung der Alkalilöslichkeit der Resistschicht.
Die Lösemittel sind der Hauptbestandteil aller Resists. Von 50% (Dicklacke) bis zu 99% (Sprühlacke) beträgt der Anteil der Lösemittel. Die ersten Resists vor 1980 enthielten noch gesundheitsschädliche Lösemittel Toluol oder Cyclohexanon.
Prinzipiell sind zwei Wege zur Herstellung von z.B. Leiterbahnen möglich: 1. Ätzverfahren: Es wird eine Metallschicht (z.B. Aluminium) auf den Wafer aufgebracht (Bedampfen, Sputtern)
Photoresists (Photolacke) werden insbesondere in der Mikroelektronik und Mikrosystemtechnik für die Produktion von µm- und sub-µm-Strukturen eingesetzt. Positiv-Photoresist Die von Allresist hergestellten Positiv-
Die lichtempfindliche Komponente in unseren Positiv-Photoresists gehört zur Gruppe der Naphthochinondiazide (NCD).
Die Strukturierung von Negativlacken beruht auf der Stabilisierung belichteter Bereiche unter Einsatz von Vernetzern (cross linker). Radikalstarter, wie z.B. Azo-bis(isobutyronitril)
Photoresists sind lichtempfindlich, reagieren auf Licht- und Temperatureinwirkung und altern im Verlauf ihrer Lagerung. Sie werden daher in lichtgeschützten Braunglasflaschen abgefüllt,