Photoresists Allgemein
Resists müssen vor der Beschichtung an die Temperatur des möglichst klimatisierten Arbeitsraumes angepasst werden. Zu kalter Lack zieht Wasser aus der Luftfeuchtigkeit.
Beschichtungsbedingungen
Resists müssen vor der Beschichtung an die Temperatur des möglichst klimatisierten Arbeitsraumes angepasst werden. Zu kalter Lack zieht Wasser aus der Luftfeuchtigkeit.
ATLAS 46 allgemein
Die beiden Resists Atlas 46 S = AR-N 4600-10 und Atlas 46 R = AR-N 4650-10 sind negativ arbeitende Photoresists hoher Schichtdicke mit extrem stabilen Resiststrukturen. Der 4650-10 ist zusätzlich wieder leicht entfernbar und damit für photolithographische und Galvanik-Anwendungen sehr gut geeignet. AR-N 4600-10 ist in seinen Eigenschaften vergleichbar mit dem SU-8.
Laserablation von PPA (Phoenix 81)
PPA-Schichten können auch durch Laserablatation strukturiert werden. Mit AR-P 8100 beschichtete Substrate wurden am IOM Leipzig (Dr. Klaus Zimmer) mit gepulstem Laserlicht bei unterschiedlichen Wellenlängen strukturiert. Dabei konnten Architekturen mit sehr geringer Kantenrauigkeit realisiert werden.
Zusammensetzung Photoresist
Photoresists (Photolacke) werden insbesondere in der Mikroelektronik und Mikrosystemtechnik für die Produktion von µm- und sub-µm-Strukturen eingesetzt. Positiv-Photoresist Die von Allresist hergestellten Positiv-