Erzeugung senkrechter Flanken mit CAR44

An der TU-Braunschweig wurde AR-N 4400-50 speziell hinsichtlich der Erzeugung gut definierter Resistarchitekturen mit vertikalen Flanken detailliert untersucht.

Surface Imaging Resistsystem SX AR-N 7100 – silylierbarer Photoresist

Das Negativ-Photoresist-Experimentalmuster SX AR-N 7100 stellt ein oberflächenabbildendes und trockenentwickelbares System dar. Mit ihm können Strukturen mittels Plasmaätzung in dicke Resistschichten übertragen werden.

Alkalistabiler Positivlack nach Behandlung mit HMDS

Zahlreiche Anwendungen beinhalten einen nasschemischen Ätzschritt, sehr häufig mit stark alkalischen Ätzbädern.

Anpassungsfähiger Zweilagenresist AR-BR 5460 für variable Lift-off-Strukturen

Der Bottom Resist AR-BR 5460 wird in Kombination mit Positiv- (z.B. AR-P 3510) oder Negativresists (z.B. AR-N 4340) bereits seit einem Jahrzehnt bei vielen Lift-off-Applikationen eingesetzt.

Strukturierung von Polyphthalaldehyden mittels Photolithographie

PPA-Schichten sind lichtempfindlich und können daher auch mittels Fotolithographie direkt strukturiert werden. Eine Bestrahlung mit Licht der Wellenlänge <300nm (Hg-Dampflampe) führt zur Spaltung der Polymerketten unter Bildung leichtflüchtiger Bestandteile, die sich zum Teil schon bei Raumtemperatur zu verflüchtigen beginnen.

Ethanol und Toluol beständiger Photoresist AR-U 4060

Die Strukturen es Image Reversal Resist AR-U 4060 zeigen nach einer Flutbelichtung und einer anschließenden Temperung eine erhöhte Beständigkeit gegenüber Lösemitteln. Ethanol und Toluol greifen normale Positiv-Resistschichten schnell an und lösen sie in kurzer Zeit.

Zweilagen Photoresistsystem für wasserempfindliche Substrate

Wenn im Strukturierungsprozess kein Wasser mit dem Substrat in Kontakt kommen darf, ist ein Zweilagen Photoresistsystem, bestehend aus einem PMMA-Resist (Unterschicht) und einem Photoresist (Oberschicht), eine Alternative zu dem SX AR-N 4810/1.

Dosisabhängige Strukturgröße bei Negativresists

Die gewünschte Strukturgröße hängt auch erheblich von der verwendeten Belichtungsdosis ab. Bei einer Überbelichtung beginnen sich die Strukturen zu vergrößern. Besonders ausgeprägt ist das bei einer Laserbestrahlung. In der Bildreihe sind 5-µm-Säulen bei unterschiedlichen Dosen gezeigt.

Erzeugung von unterschnittenen Strukturen mittels Negativresists

Mit der Laser-Direkt-Belichtung kann ein leichter Unterschnitt der Strukturen erzeugt werden: Der obere Teil der Schicht wird durch die Absorption des Resists stärker belichtet und intensiver vernetzt. Dagegen wird der untere Teil der Struktur durch die Absorption des Resists etwas weniger belichtet und geringer vernetzt. Damit entsteht, weil der Entwickler die untere Schicht auch seitlich angreift, ein leichter Unterschnitt.

Empfindlicher Negativresist für 405-nm-Laser-Direktbelichter

Der Negativresist AR-N 4400-10 kann mit einem Laser-Direktbelichter bei einer Belichtungswellenlänge von 405 nm strukturiert werden. In der Abbildung sind unterschiedliche Arrays zu erkennen. Der Säulendurchmesser variierte von 5 µm bis 50 µm. Die Bestrahlungsdosis lag in dem Bereich von 7 mJ/cm² bis 200 mJ/cm². Die Schichtdicke betrug bei dieser Versuchsreihe bei 11 µm.