Allgemeines: Resistzusammensetzung
Die mit Abstand meist gebrauchten Resists sind die Positiv-Photoresists, gefolgt von den Negativ-Photoresists. Es gibt jedoch auch andere Speziallacke.
Positiv-Polyimid-Einlagenresist
Polyimide werden durch Polykondensation aus Tetracarbonsäuredianhydriden und Diaminen hergestellt. Für thermisch höchste Beanspruchung sind nur Polyimide geeignet, die aromatische Bausteine in der Polymerkette enthalten.
UV-Strukturierung PMMA Resists
Es ist möglich, PMMA-Resists auch mittels der UV-Lithographie zu strukturieren, allerdings nur mit einer Belichtungswellenlänge von 200 – 270 nm (Tief-UV). Die typische Wellenlänge ist die niedrigste Linie der Quecksilberhochdruck-
Polyimid-Zweilagensystem
Für einige Anwendungen ist es wünschenswert, dass die Polymereigenschaften unverfälscht, also ohne Zusatz lichtempfindlicher Komponenten, erhalten bleiben, so z.B. beim Einsatz als Feuchtsensor.
Resist für das Nahe Infrarot (NIR)
Mit der Entwicklung von Photoresists für die Belichtungen in dem Wellenlängenbereich von 500 bis 1.100 nm mittels Laser wurden neue Verfahren ermöglicht. Mit den Standard-Photoresists ist eine Lithographie mit einer Belichtungswellenlänge > 480 nm nicht möglich.
Zweilagen-Resistsystem zur Flusssäureätzung
Flusssäure-Ätzungen werden, trotz der Gefährlichkeit der HF, technologisch eingesetzt, auch mit den hochprozentigen Säuren (48%). Die technologischen Probleme werden im Artikel „Nasschemisches Ätzen“ dargestellt.