Wässriges Resistsystem

In Gegenwart katalytisch wirkender Eisensalze kann Gelatine photochemisch negativ vernetzt werden. Ein großer Vorteil dieser Lacke liegt in ihrer guten Umweltverträglichkeit, da auf organische Lösungsmittel vollständig verzichtet werden kann.

Positiv-Polyimid-Einlagenresist

Polyimide werden durch Polykondensation aus Tetracarbonsäuredianhydriden und Diaminen hergestellt. Für thermisch höchste Beanspruchung sind nur Polyimide geeignet, die aromatische Bausteine in der Polymerkette enthalten.

UV-Strukturierung PMMA Resists

Es ist möglich, PMMA-Resists auch mittels der UV-Lithographie zu strukturieren, allerdings nur mit einer Belichtungswellenlänge von 200 – 270 nm (Tief-UV). Die typische Wellenlänge ist die niedrigste Linie der Quecksilberhochdruck-

Polyimid-Zweilagensystem

Für einige Anwendungen ist es wünschenswert, dass die Polymereigenschaften unverfälscht, also ohne Zusatz lichtempfindlicher Komponenten, erhalten bleiben, so z.B. beim Einsatz als Feuchtsensor.

Alkalistabiler und lösemittelbeständiger Negativresist

Die meisten Novolak-basierten Photoresists zeichnen sich durch eine sehr gute Ätzstabilität gegenüber Säuren aus (außer hochkonzentrierten, oxidierenden Säuren oder konzentrierter Flusssäure)

Leitfähige Schichten

Bei der Elektronenstrahllithographie auf isolierenden Substraten, vor allem Quarzmasken oder Glas, kommt es meist zu starken Aufladungen der Oberfläche durch das Einwirken der energiereichen Elektronen.

Resist für das Nahe Infrarot (NIR)

Mit der Entwicklung von Photoresists für die Belichtungen in dem Wellenlängenbereich von 500 bis 1.100 nm mittels Laser wurden neue Verfahren ermöglicht. Mit den Standard-Photoresists ist eine Lithographie mit einer Belichtungswellenlänge > 480 nm nicht möglich.

Zweilagen-Resistsystem zur Flusssäureätzung

Flusssäure-Ätzungen werden, trotz der Gefährlichkeit der HF, technologisch eingesetzt, auch mit den hochprozentigen Säuren (48%). Die technologischen Probleme werden im Artikel „Nasschemisches Ätzen“ dargestellt.

Negativ-Polyimid-Photoresist

Als Alternative zu dem Positiv-Polyimid-Resist (SX AR-PC 5000/82.7), der schon im Lösemittel ein Polyimid ist und somit kein Curing-Prozess (siehe „Positiv-Polyimid Resist“) bei 350-