Einige Kunden verwenden alkaliempfindliche Aluminiumsubstrate. Das führt zu Problemen wenn die Metalloberfläche im Prozess nicht angeätzt werden darf. Während unser MIF-Entwickler (AR 300-40er) und Entwickler AR 300-26 Aluminiumoberflächen stark angreifen, bleibt die Metalloberfläche bei Einsatz des Entwicklers AR 300-35 weitestgehend unverändert.
In unserer Produktinformation empfehlen wir für die Entwicklung von AR-P 5320, unserem positiven Photoresist für Lift-off-Anwendungen, den Entwickler AR 300-26. Einige Anwender bevorzugen jedoch den Einsatz von MIF-Entwicklern.
Um ein oben beschriebenes Abziehen der PMMA-Schicht vom Wafer zu verhindern, wird der Einsatz eines Haftvermittlers empfohlen. Zusätzlich ist eine möglichst hohe Temperung der Wafer (wenn möglich > 200°C)
Polyimide werden durch Polykondensation aus Tetracarbonsäuredianhydriden und Diaminen hergestellt. Für thermisch höchste Beanspruchung sind nur Polyimide geeignet, die aromatische Bausteine in der Polymerkette enthalten.
Die einfachsten, jedoch sehr wirkungsvollen Remover sind Natronlauge (NaOH) bzw. Kalilauge (KOH). Schon eine 4 %ige KOH löst fast alle novolakbasierten Photo- und E-Beam Resists innerhalb einiger Sekunden.
Wässrig basische Entwickler unterliegen einer Alterung durch CO2 Aufnahme aus der Luft. Die gepufferten wässrig alkalischen Entwickler (AR 300-26, AR 300-35) sind dabei stabiler als die TMAH-haltigen Entwickler der Serie AR 300-40.