Alkalistabiler Positivlack nach Behandlung mit HMDS
Zahlreiche Anwendungen beinhalten einen nasschemischen Ätzschritt, sehr häufig mit stark alkalischen Ätzbädern.
Empfindlicher Negativresist für 405-nm-Laser-Direktbelichter
Der Negativresist AR-N 4400-10 kann mit einem Laser-Direktbelichter bei einer Belichtungswellenlänge von 405 nm strukturiert werden. In der Abbildung sind unterschiedliche Arrays zu erkennen. Der Säulendurchmesser variierte von 5 µm bis 50 µm. Die Bestrahlungsdosis lag in dem Bereich von 7 mJ/cm² bis 200 mJ/cm². Die Schichtdicke betrug bei dieser Versuchsreihe bei 11 µm.
Entwicklung dicker Negativresistschichten
Durch Verwendung des negativ Resists AR-N 4400-50 können dicke Lackschichten >200 µ m durch mehrmaliges Beschichten aufgebaut werden (siehe Produktinfo CAR 44). Entscheidend für die Qualität der zu erzeugenden Strukturen ist das Trocknungsregime.
Oktober 2012: Negativ-Photoresists AR-N 4400 – optimiertes Trocknungsregime
Für das neue Projekt VEGAS werden Resiststrukturen (Säulen) einer Schichtdicke von 10 bis zu 60 µm benötigt. Diese Säulen sollten sich streng zylinderförmig herstellen oder sich ggf. auch konisch nach unten verengen lassen.