CSAR 62 – Wirkprinzip
Im Vergleich mit den PMMA-Resists verfügt der CSAR 62 über eine höhere Empfindlichkeit und eine deutlich bessere Plasmaätzbeständigkeit.
Verwendung von CSAR 62 zur Herstellung von Nanostrukturen auf GaAs-Substraten
CSAR 62 eignet sich auch sehr gut zur Erzeugung regelmäßiger Gitterstrukturen, die z.B. für die Untersuchung von Quanteneffekten mit Elektronen (2d-Elektronengas) verwendet werden können.
Mit 100kV geschriebene CSAR 62-Nanostrukturen
Am Karlsruher Institut für Technologie (KIT, Institut für Mikrostrukturtechnik, Dr. Lothar Hahn) wurde die Eignung von CSAR 62 für die Herstellung komplizierter Architekturen detailliert untersucht
CSAR 62 für EUV-Anwendungen
Der hochempfindliche E-Beamresist CSAR 62 kann neben dem Einsatz in der E-Beam-Lithographie auch durch Belichtung mittels UV-Strahlung strukturiert werden, da der Resist im Wellenlängen-bereich von 190 – 240nm UV-Strahlung stark absorbiert.
HF-Ätzung von GaAs mit CSAR 62-Maske
Mr. Y. Nori von der Lancaster Uni (Department of Physics, UK) konnte unter Einsatz von CSAR 62 sehr erfolgreich Strukturen für die Herstellung von photonischen Kristallen erzeugen.
BOE-Ätzung von SiO2 mit CSAR 62-Maske
Auch der hochempfindliche E-Beamresist CSAR 62 kann als Maske für einen Ätzprozess mit HF (BOE, 10:1) eingesetzt werden.
Herstellung plasmonischer Strukturen mit CSAR 62
Bei der Herstellung plasmonischer Strukturen können mit Electra 92 unerwünschten Aufladungen auf Quarzsubstraten vermieden werden.
CSAR 62-Entwicklung bei tieferen Temperaturen
Die Empfindlichkeit des CSAR 62 kann durch die Wahl des Entwicklers sehr stark beeinflusst werden. Im Vergleich zum Standard-Entwickler AR 600-546 kann die Empfindlichkeit bei der Verwendung des AR 600-548 fast verzehnfacht werden.