Oktober 2018: Medusa 82 – Stabiler und empfindlicher als der HSQ
Allresist ist es gelungen, eine Alternative zum HSQ zu entwickeln. Durch eine neue Modifikation des Polymers lässt sich der Resist Medusa sehr einfach handhaben.
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Juli 2018: Medusa 82 – die Alternative zum HSQ-Resist
Unserem Forschungsteam ist es in diesem Jahr gelungen, einen Negativresist hoher Auflösung und Plasmaätzstabilität in Sauerstoff zu entwickeln. Bereits mit den ersten Mustern gelang es die Eigenschaften des HSQ zu erreichen.
April 2018: Fluoreszierende Negativ-Photoresists Atlas 46 S
Für die Herstellung optischer Skalierungen, wie z.B. bei Nachtsichtgeräten, bedient man sich der faszinierenden Möglichkeiten der Fluoreszenz. Dafür haben wir unseren Atlas 46 mit verschiedenen Fluoreszenzfarbstoffen zu versetzt.
Januar 2018: SU 8-Alternative – Negativ-Photoresist Atlas 46
Die hervorragenden Eigenschaften des SU-8 sind allen Anwendern der Mikrosystemtechnik bekannt. Der neue Negativresist Atlas 46 S (Solid) von Allresist ist einfach verarbeitbar mit hoher Reproduzierbarkeit der Eigenschaften und großer Widerstandsfähigkeit der Resiststrukturen gegenüber allen gängigen Lösemitteln. Damit ist Atlas 46 S für alle Anwendungen geeignet, bei denen die Schicht permanent und widerstandsfähig auf dem Substrat verbleiben soll.
Oktober 2017: Fluoreszierende Resiststrukturen mit SX AR-P 672.08
Fluoreszierende Strukturen werden für optische Komponenten und in der Mikroskopie benötigt. In enger Zusammenarbeit mit der Präzisionsoptik Gera GmbH ist es uns nun gelungen, PMMA E-Beamresists auf Anisolbasis mit fluoreszierenden Farbstoffen zu versetzen und diese mittels Elektronenstrahl-Lithographie zu strukturieren.
April 2017: Thermisch entwickelbarer Positivresist Phoenix 81
Die Polyphthalaldehyde eignen sich ebenso für die Elektronenstrahllithographie und wie auch für die Herstellung von 200 nm dicken Fäden (Electro spinning). Ein Material aus diesen Fäden verdampft augenblicklich, wenn man es erhitzt.
Januar 2017: Optimierung des Negativ-Sprühresist AR-N 2200
Der Sprühresist AR-N 2220 ist der weltweit einzige einsatzfertige Negativlack. Damit entfällt das aufwändiges und ungenaues Mischen eines mit Lösemitteln.
Januar 2017: Optimierung des Negativ-Sprühresist AR-N 2200
Der Sprühresist AR-N 2220 ist der weltweit einzige einsatzfertige Negativlack. Damit entfällt das aufwändige und ungenaue Mischen eines Lackes mit Lösemitteln. In enger Kooperation mit der EV Group in Schärding wurde der AR-N 2220 auf dem Spraycoater EVG®150 optimiert.
Oktober 2016: Optimierte T-Gate-Struktur mit Dreilagensystem
T-Gates werden für die Herstellung hochwertiger Transistoren benötigt. Allresist hat mehrere Dreilagensysteme für diesen Prozess optimiert. Dabei wurde sowohl ein universaler Entwickler für einen Entwicklungsschritt als auch mehrere selektive Entwickler für jede Schicht konzipiert.
Juli 2016: Negativ-PMMA-Resist für die Photolithographie
Empfindliche Substrate vertragen keine wässrig-alkalische Entwickler. Für solche Fälle wurde vor einigen Jahren der X AR-N 4800/16 entwickelt. Dieser Resist erfüllte die an ihn gestellten Anforderungen, jedoch gelang mit ihm nur ein Schichtaufbau auf 70 % bei mäßiger Empfindlichkeit.