Resist-Wiki Allgemein Grundlegende Chemie

Polymere (Schichtbildner)

Polymethylmethacrylate (PMMAs) finden breite Verwendung z.B. in der Elektronenstrahllithographie. Sie entstehen durch Polymerisation von Methacrylsäuremethylesters in Gegenwart von Radikalstartern (Verweis)
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Prinzipien und Funktionsweisen

Positivlack Die Zugabe der lichtempfindlichen Komponente (LEK, Naphthochinondiazide (NCD)) zum alkalilöslichen Novolak bewirkt eine Verringerung der Alkalilöslichkeit der Resistschicht.
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Andere Bestandteile von Resists

Die Lösemittel sind der Hauptbestandteil aller Resists. Von 50% (Dicklacke) bis zu 99% (Sprühlacke) beträgt der Anteil der Lösemittel. Die ersten Resists vor 1980 enthielten noch gesundheitsschädliche Lösemittel Toluol oder Cyclohexanon.
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Zusammensetzung Photoresist

Photoresists (Photolacke) werden insbesondere in der Mikroelektronik und Mikrosystemtechnik für die Produktion von µm- und sub-µm-Strukturen eingesetzt. Positiv-Photoresist Die von Allresist hergestellten Positiv-
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Lichtempfindliche Komponenten

Die lichtempfindliche Komponente in unseren Positiv-Photoresists gehört zur Gruppe der Naphthochinondiazide (NCD). Die Zugabe von NCD-Derivaten zu Kresolharzen (Novolake) bewirkt eine chemische Reaktion unter Ausbildung von Naphtochinondiazidestern die eine um etwa 2 Größenordnungen verringerte Alkalilöslichkeit besitzen.
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Vernetzer (cross linker)

Die Strukturierung von Negativlacken beruht auf der Stabilisierung belichteter Bereiche unter Einsatz von Vernetzern (cross linker). Radikalstarter, wie z.B. Azo-bis(isobutyronitril)
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