Resist-Wiki E-Beam Resist Negativ

CAR 44 für die E-Beam-Lithographie

Uns ist es nun gelungen, eine bemerkenswerte Lösung für die E-Beamstrukturierung hoher Schichten zu finden. Der Negativresist CAR 44 (AR-N 4400-10) wurde 9,5 µm hoch beschichtet, getrocknet und bestrahlt.
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Atlas 46 für die E-Beam-Lithographie

Ein neues Anwendungsgebiet für den Atlas 46 ist die Elektronenstrahl-Lithographie. Eine dünne Atlas-Resistschicht wurde mittels E-Beamlithographie strukturiert. Die Schichtdicke betrug 450 nm, in diese Schicht wurden 200-nm-Linien geschrieben.
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Einsatz von Electra 92 für REM-Anwendungen

Die Beschichtung mit Electra 92 auf elektrisch isolierend wirkenden Polymeren ermöglichte die qualitativ hochwertige Abbildung von Nanostrukturen im REM.
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Chemisch verstärkter, hochempfindlicher Negativ-E-Beamresist SX AR-N 7730/37

Mit SX AR-N 7730/37 wollen wir einen neuen negativen CAR E-Beamresist vorstellen. Der Resist zeigt eine sehr hohe Empfindlichkeit bei gleichzeitig hoher Prozessstabilität.
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Verhältnis Auflösung und Dosis am Beispiel des E-Beamresist SX AR-N 7530/1

Prozessstabile Negativ-Lacksysteme, die bei einer ausreichenden Empfindlichkeit Auflösungen < 30 nm ermöglichen, sind von zunehmenden Interesse für Anwendungen der Elektronenstrahllithographie.
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AR-N 7700, 4 µm dick, Proximity-Effekt

Ziel der Elektronenstrahllithographie ist im Allgemeinen eine maximale Auflösung. Deshalb werden normalerweise auch sehr dünne Schichten verwendet (50 - 500 nm). In einigen Fällen sind aber auch kleine Strukturen mit einem hohen Aspektverhältnis interessant.
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Diffraktive Optiken mit dem „analogen“ E-Beamresist

Von Allresist wurde ein E-Beamresist konzipiert, der in Abhängigkeit von der Bestrahlungsdosis ein dreidimensionales Resistprofil erzeugt. Für die übliche Strukturierung wird von einem Resist eigentlich nur ein zweidimensionales Verhalten erwartet.
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Hochauflösender Negativ-E-Beamresist

Ein prozessstabiler, ausreichend empfindlicher E-Beamresist mit einer Auflösung um 30 nm wird für Forcierung der Elektronenstrahllithographie dringend benötigt. Die chemisch verstärkten E-
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Empfindlicher, ätzstabiler Negativ-E-Beamresist für Arbeiten ohne Gelblicht

Die Elektronenstrahllithographie begann in den 1980er Jahren mit den PMMA-Resists. Diese Lacke sind im Wellenlängen-UV-Bereich von über 300 nm absolut lichtunempfindlich. Deshalb benötigen die Reinräume,
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