Resist-Wiki Photorestist Negativ

Eingefärbte Negativ-Photoresists

Allresist bietet mittlerweile auch gefärbte Negativresists mit der Bezeichnung SX AR-N 8500 an. Der Unterschied zu den FUJIFILM Lacken besteht darin, dass in den Resists Farbstoffe und keine Pigmente gelöst sind. Damit können eine hohe Auflösung und scharfe Kanten erreicht werden.
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CAR 44 auf Kupfer

Wird der Negativ-Photoresist CAR 44 (AR-N 4400) direkt auf Kupfer- oder kupferhaltigen Substraten eingesetzt, muss folgendes beachtet werden.
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Erzeugung senkrechter Flanken mit CAR44

An der TU-Braunschweig wurde AR-N 4400-50 speziell hinsichtlich der Erzeugung gut definierter Resistarchitekturen mit vertikalen Flanken detailliert untersucht.
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Dosisabhängige Strukturgröße bei Negativresists

Die gewünschte Strukturgröße hängt auch erheblich von der verwendeten Belichtungsdosis ab. Bei einer Überbelichtung beginnen sich die Strukturen zu vergrößern. Besonders ausgeprägt ist das bei einer Laserbestrahlung. In der Bildreihe sind 5-µm-Säulen bei unterschiedlichen Dosen gezeigt.
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Erzeugung von unterschnittenen Strukturen mittels Negativresists

Mit der Laser-Direkt-Belichtung kann ein leichter Unterschnitt der Strukturen erzeugt werden: Der obere Teil der Schicht wird durch die Absorption des Resists stärker belichtet und intensiver vernetzt. Dagegen wird der untere Teil der Struktur durch die Absorption des Resists etwas weniger belichtet und geringer vernetzt. Damit entsteht, weil der Entwickler die untere Schicht auch seitlich angreift, ein leichter Unterschnitt.
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Empfindlicher Negativresist für 405-nm-Laser-Direktbelichter

Der Negativresist AR-N 4400-10 kann mit einem Laser-Direktbelichter bei einer Belichtungswellenlänge von 405 nm strukturiert werden. In der Abbildung sind unterschiedliche Arrays zu erkennen. Der Säulendurchmesser variierte von 5 µm bis 50 µm. Die Bestrahlungsdosis lag in dem Bereich von 7 mJ/cm² bis 200 mJ/cm². Die Schichtdicke betrug bei dieser Versuchsreihe bei 11 µm.
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Wasserbasierte Resists

Die meisten Photoresist sind fast ausschließlich in organischen Lösemitteln, wie z.B. in PMA (1-Methoxy-2-propyl-acetat) oder englischsprachig PGMEA (propylene glycol methyl acetate) gelöst.
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Mit NIR-Lasern strukturierbare Photoresists

Durch Zusatz geeigneter Farbstoffen zu den negativ arbeitenden CAR-Resists kann auch bei Wellenlängen außerhalb des sonst üblichen Wellenlängenbereichs strukturiert werden, wenn mit gepulsten Lasern in ausreichender Intensität bestrahlt wird.
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Empfindlicher Negativ PMMA-Resist (CAR)

PMMA-Resists werden überwiegend für Elektronenstrahlanwendungen oder als Schutzlacke bei aggressiven nasschemischen Ätzverfahren eingesetzt.
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Entwicklung dicker Negativresistschichten

Durch Verwendung des negativ Resists AR-N 4400-50 können dicke Lackschichten >200 µ m durch mehrmaliges Beschichten aufgebaut werden (siehe Produktinfo CAR 44). Entscheidend für die Qualität der zu erzeugenden Strukturen ist das Trocknungsregime.
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