Mit SX AR-N 7730/37 wollen wir einen neuen negativen CAR E-Beamresist vorstellen. Der Resist zeigt eine sehr hohe Empfindlichkeit bei gleichzeitig hoher Prozessstabilität. Die Beständigkeit der Lösungen und Schichten hat sich dadurch deutlich verbessert.
Vor längerer Zeit berichteten wir über die Entwicklung eines hochempfindlichen E-Beamresists SX AR-N 7700/37. Ein Problem war in der Vergangenheit die zu geringe Auflösung von nur 300 nm. Jetzt ist es gelungen, die Auflösung unter Beibehaltung der anderen guten Parameter deutlich zu verbessern.
Prozessparameter:
Schichtdicke: 120 nm
Softbake: 85 °C
Empfindlichkeit (20 kV): 3,38 µC/cm²
Vernetzungstemperung: 105 °C, 2 min hotplate
Entwickler: AR 300-47 (2,5 : 1 verdünnt)
Abb. 1: Minimale Auflösung 50 nm mit dem E-Beamresist SX AR-N 7700/37
Für einen chemisch verstärkten Resist, dessen Empfindlichkeit bei 3 µC/cm² liegt, ist eine Auflösung von 50 nm sehr gut. Die Präzision der Kanten, wie in der Abbildung zu sehen ist, lässt aber noch Wünsche offen. Durch weitere Modifikationen der Resistrezeptur und eine Optimierung des Verarbeitungsprozesses soll die Strukturgüte soweit verbessert werden, dass der Resist für einen Einsatz in der Industrie, z.B. für die Maskenherstellung, geeignet ist.
E-Beam Resist Negativ