CSAR 62 für dicke Schichten

Intensive Plasmaätzanwendungen zur Herstellung tiefer Ätzstrukturen mit hohem Aspektverhältnis erfordern ätzstabile Resists und höhere Schichtdicken, die jedoch besondere Anforderungen an Auflösung und Kontrast stellen.

Mit dem AR-P 6200.18 wurden 1,5 µm dicke Schichten erzeugt. Wie Untersuchungen am KIT (IMT, Dr. Lothar Hahn) zeigen, lassen sich bei dieser Schichtdicke sehr regelmäßige Gräben mit einer Breite von 300 nm bei einer Periode von 300 nm realisieren (siehe Abbildung 1).

Der hohe Kontrast von 5, wird durch Einsatz unseres Entwicklers AR 600-546 ermöglicht, ein kurzes Spülen mit MIBK bewirkt dabei eine rückstandsfreie Entwicklung.

Abbildung 1: Dosis 180 µC/cm2 bei 100kV; AR 600-546: 20 min, MIBK: 1 min; stabile, sehr regelmäßige Linienstruktur

Ein entscheidender Parameter ist der Entwicklungsprozess, längere Entwicklungszeiten >30 Minuten sind ungünstig, da in den relativ dicken Schichten  Spannungsrisse auftreten können:

Abbildung 2: Dosis 180 µC/cm2 bei 100kV; AR 600-546: 35 min, MIBK: 1 min; Ausbildung von Spannungsrissen

Im Rahmen der Untersuchung wurde auch ein neuer Entwickler evaluiert. Der Entwickler X AR 600-546/2 entwickelt ebenfalls mit sehr hohem Kontrast ist aber weniger empfindlich als der Standardentwickler AR 600-546.

Abbildung 3: Gradation von AR-P 6200.18 in AR 600-546 und neuem Entwickler X AR 600-546/2 im Vergleich

Eine Erhöhung der Entwicklertemperatur auf 30°C bewirkt eine erhebliche Steigerung der Empfindlichkeit ohne eine signifikante Verminderung des Kontrastes. Weiterhin erhöht auch eine Verlängerung der Entwicklungszeit die Empfindlichkeit. 1,5 µm Schichten CSAR 62 konnten ohne Auftreten störender Risse mit X AR 600-546/2 entwickelt werden.

Abbildungen 4: Dosis 180 µC/cm2 bei 100kV; X AR 600-546/2: 4h, MIBK: 1 min; stabile, sehr regelmäßige, rückstandsfrei entwickelte Linienstruktur ohne Risse

Microsoft PowerPoint - mne2017_final.pptx

Abbildung 6: Poster MNE 2017