Der hochempfindliche E-Beamresist CSAR 62 kann neben dem Einsatz in der E-Beam-Lithographie auch durch Belichtung mittels UV-Strahlung strukturiert werden, da der Resist im Wellenlängen-bereich von 190 – 240nm UV-Strahlung stark absorbiert. Ähnlich wie durch Bestrahlung mit Elektronen werden auch durch die energiereiche UV-Strahlung Polymerbindungen gespalten. Das fragmentierte Polymer hat dann im anschließenden Entwicklungsschritt eine signifikant erhöhte Löslichkeit im Entwickler (positiver Strukturierungsprozess). Bisher unbekannt war jedoch die Möglichkeit CSAR 62 mit EUV-Strahlung zu strukturieren. Entsprechende Untersuchungen wurden an der RWTH Aachen (Lehrstuhl Technologie optischer Systeme) von Dipl. Ing. S. Brose durchgeführt. Es wurden Schichten von CSAR 62 (AR-P 6200.09) mit EUV-Strahlung (Wellenlängenbereich 10 – 16 nm) belichtet und hinsichtlich des Kontrasts und der Sensitivität mit der konventionellen Strukturierung mittels Elektronenstrahl verglichen. Für CSAR 62 (Schichtdicke etwa 40 nm) konnte unter EUV-Bestrahlung ein Kontrast von Gamma = 1,8 bei einer Sensitivität von 50 mJ/cm² gemessen werden (Entwickler AR 600-546, 5 Minuten bei Raumtemperatur). Für die E-Beam Belichtung ergab sich eine Empfindlichkeit von 85 µC/cm², bei sehr ähnlichen Kontrastwerten. Die beobachteten Kontraste waren für CSAR 62 und ZEP 520A-7 fast gleich, allerdings konnte für CSAR 62 eine höhere Empfindlichkeit gemessen werden.
S. Brose, S. Danylyuk, J. Tempeler, H. Kim, P. Loosen, L. Juschkin; Proc. of SPIE 9776, Extreme Ultraviolet (EUV) Lithography VII, 97760R, (2016)
E-Beam Resist Positiv