Für Spezial-Anwendungen, wo mittels Lift-off-Technik Metalldicken von einigen Hundert Nanometern erzeugt werden sollen, bedarf es auch höhere Schichten. Mit dem AR-P 6200.13 werden bei einer Schleuderdrehzahl von 1000 rpm 800 nm dicke Schichten erhalten, mit dem AR-P 6200.18 erreicht man sogar 1,5 µm.
Durch eine Steigerung der Bestrahlungsdosis konnte der Grad des erzeugten Unterschnitts gezielt eingestellt werden (F Abb. 1–3). Hiermit kann jeder Anwender das für seinen Lift-off-Prozess günstigste Profil auswählen. Für die Erzeugung von Nano-Leiterbahnen mit einer Metallhöhe von wenigen 10 nm wird man weiterhin dünne 100–200 nm Resistschichten nutzen. Dagegen sind mit „dicken“ Lift-off-Strukturen einige 100 nm hohe Säulen Ø < 100 nm herzustellen (z.B. Nanowires).
Abb. 1 AR-P 6200.13, 823 nm Schicht, Dosis: 1200 pC/cm
Abb. 2 AR-P 6200.13, 823 nm Schicht, Dosis: 1440 pC/cm
Abb. 3 AR-P 6200.13, 823 nm Schicht, Dosis: 1728 pC/cm
Da während der Entwicklung dicker Schichten eine erhebliche Menge Polymer im Entwickler gelöst wird, sollte danach zunächst noch kurz mit frischem Entwickler und/oder MIBK gespült werden. Die Abscheidung von Polymerresten bzw. Partikeln aus der Entwicklerlösung auf dem Substrat kann dadurch wirksam vermieden werden. Im Anschluss daran erfolgt das Abstoppen im AR 600-60.
E-Beam Resist Positiv