Die Elektronenstrahllithographie ist ein spezielles Verfahren zur Strukturierung elektronen-strahlempfindlicher Lackschichten für die Herstellung mikroelektronischer Schaltkreise und der in der Photolithographie verwendeten Fotomasken. Die Elektronenstrahllithographie ist eine aussichtsreiche Technologie für die in den nächsten Jahren angestrebten 32-nm-Strukturen mit dem Potential, später auch noch kleinere Auflösungen, auch in Großserienproduktion zu realisieren. Die konkurrierende Extrem-Deep-UV-Lithographie, die auch für die Lösung dieser anspruchsvollen Aufgabe prädestiniert ist, wird in diesem Wiki nicht beleuchtet, da diese Resists sich nicht in unserem Fokus befinden.
Durch die Bestrahlung mit beschleunigten Elektronen werden die im E-Beamresist verwendeten Polymere chemisch derart verändert, dass sich ihr Löseverhalten in den eingesetzten Entwicklern (meist organischen Lösungsmittelgemischen im Fall der Positivlacke) verändert und die Resistschicht dadurch bis in den Nanometerbereich gezielt strukturiert werden kann. Die entwickelten Strukturen können anschließend auf andere Materialien übertragen werden, entweder durch Metall-abscheidung oder durch Ätzen des darunterliegenden Substrates.