Die Elektronenstrahllithographie begann in den 1980er Jahren mit den PMMA-Resists. Diese Lacke sind im Wellenlängen-UV-Bereich von über 300 nm absolut lichtunempfindlich. Deshalb benötigen die Reinräume, wo die E-Beam-Lithographie mit PMMA-Resists durchgeführt wird, kein Gelblicht.
Wir sind schon öfter mit dem Wunsch der E-Beam-Anwender konfrontiert worden, ob wir auch Negativ-Resists anbieten, die unter Weißlichtbedingungen verarbeitet werden können. Unsere Negativ-E-Beamresists der Serie 7500 – 7700 sind alle auch im Breitband UV (300 – 405 nm) empfindlich.
Damit sind sie für die Mix&match-Technologien (E-Beam- und UV-Lithographie in einem Prozess) geeignet, benötigen aber zwingend Gelblicht. Durch den Einsatz neuer Säuregeneratoren, die sich durch eine UV-Absorption < 280 nm auszeichnen, haben wir den chemisch verstärkten E-Beamresist SX AR-N 7700/46 entwickelt, der auch bei Tageslicht verarbeitet werden kann.
Die beschichteten Wafer wurden für mehrere Stunden offen in ein Weißlicht-Labor gelegt und anschließend zusammen mit den nicht zusätzlich „belichteten“ Wafern bestrahlt und entwickelt. Empfindlichkeit und Gradation beider Versuchsreihen waren identisch.
E-Beam Resist Negativ