Ein typisches Problem einer extremen Auflösung bei einem Aspektverhältnis > 10 ist das Kollabieren der Stege. In Abb. 1 sind 10-nm-Gräben mit einem Pitch von 50 nm zu sehen. Diese Strukturen wurden mit dem CSAR 62 (SX AR-P 6200/2) bei einer Beschleunigungsspannung von 30 kV und einer Dosis von 230 pC/cm realisiert. Der CSAR 62 ist eine Weiterentwicklung des ZEP-Resists. Bei dem Entwicklungsprozess führt die Oberflächenspannung der Lösungsmittel zu einem unerwünschten „Verkleben“ der einzelnen Stege. Durch die Verwendung neuer Lösemittel und oberflächenspannungsverändernden Substanzen wird versucht, diesen Effekt zu minimieren.
Abb. 1: noch teils angeklebte 10-nm-Stege (Pitch 50 nm)
E-Beam Resist Positiv