Bei der Verwendung des SX AR-P 640/2 (PMMA 90K) als Einlagensystem kann durch die Veränderung der Prozessparameter, insbesondere der Dosis, eine noch bessere Auflösung erzielt werden. Allgemein kann festgestellt werden, dass die Angabe der Empfindlichkeit der E-Beamresists extrem von der gewünschten Strukturgröße abhängt. Will man die maximale Auflösung erreichen, benötigt man eine Dosis, die um den Faktor 10 höher liegen kann als bei z.B. 1 x 1µm Quadraten.
Verarbeitungsparameter:
Der Resist SX AR-P 640/2 wurde auf eine Schichtdicke von 60 nm aufgebracht. Die Trocknung wurde 60 min @ 200°C auf der hot plate durchgeführt. Die Belichtung erfolgte mittels Elektronenstrahllithographie bei einer Beschleunigungsspannung von 30 kV. Es wurden sog. Single-Pixel-Linien belichtet, d.h. Linien mit minimaler Breite.
Die Entwicklung erfolgte 1 min in reinem Isopropanol. Es wurden 6 nm Gold aufgedampft und der Lift-off in Aceton durchgeführt.
Ergebnisse:
Es konnten sehr schmale Linien mit kleinen Periodizitäten erzeugt werden. Der Resist eignet sich gut für die hochauflösende Elektronenstrahllithographie. Die Ergebnisse der oben genannten Veröffentlichung mit diesem Resist konnte bestätigt werden. Die Bestrahlungsdosis muss größer als 6000 µC/cm² bei einer Beschleunigungsspannung von 30 kV sein. Es können bis zu 8 nm schmale Linien hergestellt werden. Ebenso können Goldlinien mit sehr kleinen Abständen hergestellt werden. Die kleinste erreichte Periodizität wurde mit 45 nm gemessen.
Abbildung 1 und 2: Linie mit einer Breite von 8 nm nach Lift-off. Das aufgedampfte Gold hat eine Dicke von 6 nm. Aufgrund der granularen Natur von Gold besteht die Struktur aus einer Reihe von individuellen Punkten nach dem Lift-off.